BGM300

TSV の裏面研磨工程で Si 厚さ・TSV 深さ・残り Si 厚さを測る測定装置。

BGM300とは

BGM300 は、レーザーテックの TSV 裏面研磨プロセス測定装置です。2012年8月に発表されました。TSV の裏面研磨工程での Si の厚さ、TSV の深さ、残りの Si の厚さ（RST）を測ります。

独自の干渉計と IR 光学系の組み合わせでビアの部分を測れ、裏面研磨の研削前と研削後の両方で使えます。

研磨前の Si 厚さと TSV 深さ、研磨後の残り Si 厚さの測定、貼り合わせウェーハの接着層の厚さ異常の把握、BSI イメージセンサーウェーハの裏面薄化時のシリコン厚さの測定に使われます。

主な特長

•干渉計＋IR 光学系
•研削前後の両方で測定
•残り Si 厚さを測定

主な仕様

方式	独自干渉計＋IR 光学系
対応基板	Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ）
装置サイズ	1,450 × 2,650 × 1,885 mm

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer™ Avila™ 2 PECVD	Applied MaterialsEndura® Ventura® PVD	Applied MaterialsProducer® Avila™ PECVD	Applied MaterialsProducer® InVia® CVD	荏原製作所UFP600AS型	東京エレクトロン（TEL）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus	KLASPTS Osprey® PECVD	レーザーテックVIANCA シリーズ	レーザーテックBGM300
方式	PECVD（200℃ 未満の低温処理）	PVD（TSV 専用）	PECVD（能動冷却で最低 100℃）	CVD（TSV 絶縁ライナー）	電解めっき（高速パドル方式）	—	PECVD（最低 110℃）	独自光学系による深さ測定	独自干渉計＋IR 光学系
特徴	ウェーハ反り（ボウ）補正の強化・Si／ガラスの支持基板に対応	量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現	—	—	薄いシード層・多様な基板に対応、フレキシブルなプラットフォーム	50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus）	—	—	—
主要用途	TSV ビア露出・HBM・ハイブリッドボンディング用絶縁膜	—	—	—	バンプ・ピラー・再配線・貫通ビア・ファンアウト	—	TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合	ビアエッチング後の深さ・Cu リセス量・バンプ高さ	—
対象	—	アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ	—	—	—	—	—	高アスペクト比・小径ビア（次世代 TSV）	—
膜種	—	—	酸化膜・窒化膜	—	—	—	SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など	—	—
対応基板	—	—	—	—	パッケージ用角基板（パネル）	—	—	—	Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ）

1機種だけが掲載している項目（6件）

構成	—	—	Twin Chamber の Producer GT（同時に最大 6 枚）	—	—	—	—	—	—
膜厚	—	—	—	200nm〜1µm	—	—	—	—	—
対応アスペクト比	—	—	—	6:1〜16:1	—	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	300 mm	—	—	—
仮接合精度	—	—	—	—	—	接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V）	—	—	—
装置サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	1,450 × 2,650 × 1,885 mm