結晶欠陥検査装置メーカー3

結晶欠陥検査装置は、シリコンやSiCの基板・エピ層に含まれるCOP・転位・積層欠陥・BPD(基底面転位)といった結晶起因の欠陥を検出する装置です。光散乱方式、フォトルミネッセンス(PL)方式、X線トポグラフィなどがあり、SiCパワーデバイスではBPDがバイポーラ劣化の原因となるため厳しい検査が求められます。異物検査が表面付着物を対象とするのに対し、こちらは結晶内部の欠陥を対象とし、基板メーカーの品質保証工程で中核を担います。

メーカー 3関連カテゴリ 9

主要特徴

COP・転位・積層欠陥・BPDなど結晶起因の欠陥を対象とする
光散乱方式・フォトルミネッセンス方式・X線トポグラフィがある
SiCではBPDがバイポーラ劣化の原因となるため検査要求が厳しい
表面付着物を見る異物検査とは対象も原理も異なる

メーカー

3社の主要メーカー

KLA米国

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

検査装置
ウェーハ検査システムマスク検査装置
計測装置
CD計測膜厚計測オーバーレイ計測
データ分析
aiSIGHTKlarity
  • 検査・計測装置における世界的リーダー
  • AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
会社詳細
日立ハイテク日本

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。

検査・計測装置
CD-SEMウェハ検査装置マスク検査装置膜厚計測装置
加工装置
プラズマエッチング装置
分析装置
走査電子顕微鏡(SEM)透過電子顕微鏡(TEM)
  • CD-SEM(測長SEM)で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
  • 2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
会社詳細
コベルコ科研日本

神戸製鋼グループの分析・評価受託会社。半導体材料や薄膜の材料分析、故障解析、シミュレーション受託を行うほか、スパッタリングターゲット材の開発・供給も手掛ける。

分析・評価受託
材料分析故障解析シミュレーション受託
材料
スパッタリングターゲット
  • 材料分析と故障解析の受託体制
  • スパッタリングターゲット材の供給
会社詳細

関連カテゴリ

欠陥検査装置

欠陥検査装置(Defect Inspection)は、ウェハ表面や内部に存在するパターン欠陥・パーティクル・スクラッチなどを光学または電子線で自動検出するシステムです。

メーカー 2
電子線(EB)検査装置

電子線(EB)検査装置は、電子ビームを用いてウェーハ上のパターン欠陥・電気的欠陥を高分解能で検出する装置です。

メーカー 4
マクロ検査装置

マクロ検査装置は、ウェハ全面を低倍率で一括撮像し、レジストのコート不良・現像ムラ・スクラッチ・チッピング・ウェハエッジの異常など、比較的大きな外観不良を高速に検出する装置です。

メーカー 2
マスク検査装置

マスク検査装置(Mask Inspection)は、フォトリソグラフィで使用するフォトマスク・レチクルの欠陥・汚染を検出するシステムです。

メーカー 4
光学式ウェーハ検査装置

光学式ウェーハ検査装置は、レーザーや白色光を用いてウェーハ表面の異物・スクラッチ・結晶欠陥などを高速で検出する装置です。

メーカー 7
異物・パーティクル検査装置

異物・パーティクル検査装置は、ウェハ表面に付着した微粒子や傷をレーザー散乱光で検出し、サイズと座標をマップとして出力する装置です。

メーカー 3
レビューSEM

レビューSEMは、欠陥検査装置が出力した欠陥座標へ自動で移動し、個々の欠陥を高分解能のSEM像で分類する装置です。

メーカー 3
膜厚計測装置

膜厚計測装置(Thickness Metrology)は、ウェハ上に形成された薄膜の厚さや光学特性を非破壊で精密測定するシステムです。

メーカー 5
ウェハ検査装置

ウェハ検査装置(Wafer Inspection)は、ウェハ表面のパーティクル・欠陥・パターン異常を自動検出するシステムです。

メーカー 5

関連用語

比較・違いを学ぶ

電子ビーム検査と光学検査の違い(欠陥検査方式の比較)
電子ビーム検査(E-beam Inspection)は電子ビームでウェハを走査し二次電子・反射電子像から欠陥を検出する方式で、数nm級の微小欠陥や配線のオープン
SEMとTEMの違い
SEMとTEMはどちらも電子線を使う顕微鏡で、光学顕微鏡では見えないナノメートル領域を観察するために使われます。名前は似ていますが、電子と試料の関わり方が根本的
四探針法とホール効果測定の違い
どちらも半導体の電気特性を測る基本手法ですが、得られる情報の量が違います。四探針法は抵抗率という1つの値を素早く測れる一方、その値の内訳までは教えてくれません。
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る