Triase+ EX-II TiN 是東京威力科創（TEL）適用 300mm 晶圓的高速單晶圓 ASFD（Advanced Sequential Flow Deposition）設備。使用 TiCl₄ 沉積高階梯覆蓋率的 TiN（氮化鈦）。
隨著元件微縮與 3 維化，在高深寬比形狀上成膜越來越困難。TiN Plus 全面革新了腔體的反應空間與氣體導入機構，大幅提升片內均勻性、階梯覆蓋率與生產力。產品陣容還包括沉積低電阻・高純度 TiN 的高溫版 Plus HT，以及用於 MIM 電容電極、可降低漏電流的 TiON。
可用於接觸窗阻障層、電容電極、字元線阻障層、金屬閘極等。各機種最多可搭載 4 個腔體的製程模組，並以針對各腔體最佳化的清潔技術，實現高生產力與低 CoC。