Triase+ Ti/TiN 是東京威力科創（TEL）適用 300mm 晶圓的單晶圓 CVD 設備。使用 TiCl₄ 沉積高階梯覆蓋率的 Ti 與 TiN。在全球半導體量產工廠擁有優異的實績與可靠度，在各種元件的接觸窗製程中兼顧低電阻化與降低接面漏電流。
對於更微細、更高深寬比的製程，則由採用 SFD、兼具 ALD 高階梯覆蓋率與 CVD 高生產力的 Triase+ SFD TiN 因應。
針對具有淺接面與鎳矽化物層的次世代元件，Triase+ HP Ti 藉由噴淋頭表面處理與 Ti 成膜時同時形成 TiSi 等技術，擴大製程溫度範圍，並提升微粒性能與生產力。另有進一步提高階梯覆蓋率的 HP Ti Plus。各產品均可搭載最多 4 個腔體。