IHとは
IH は、アルバックのパワーデバイス・SiC デバイス向けの高エネルギーイオン注入装置です。高温と常温の注入に対応します。
高温と常温を瞬時に切り替えられ、自動で連続して高温注入ができます。1 価イオンで 400keV、2 価で 800keV、3 価で 1,200keV まで対応します。高温ステージと冷却ステージを瞬時に切り替える同社特許のデュアルプラテンや、プレヒート室による加熱時間の短縮で、高いスループットを得ます。
チェーン注入ができ、オペレーターの負荷を減らします。コンパクトな設計で、試作から量産まで幅広く対応します。IH-860PSIC は Φ150mm、IH-1200PSIC は Φ200mm の基板に対応します。
主な特長
- •高温/常温を瞬時に切り替え
- •最大 1,200keV
- •デュアルプラテン(特許)
主な仕様
| エネルギー | 最大 1,200keV(3 価イオン) |
|---|---|
| 基板サイズ | 最大 Φ150(IH-860PSIC)・Φ200(IH-1200PSIC) |
| イオン種 | P・B・Ar・Al・N |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Axcelis TechnologiesPurion XE | 住友重機械イオンテクノロジーS-UHE/SS-UHE Ⅱ | ULVAC(アルバック)IH(高エネルギーイオン注入装置) | ULVAC(アルバック)SOPHI-400(高エネルギーイオン注入装置) |
|---|---|---|---|---|
| 区分 | 高エネルギーイオン注入装置 | 高エネルギーイオン注入装置 | — | — |
| 加速方式 | RFリニアック(LINAC) | 多段RFリナック | — | — |
| 主要用途 | 深いウェル形成などの高エネルギー注入 | レトログレードウェルなどの深部注入 | — | — |
| エネルギー | — | — | 最大 1,200keV(3 価イオン) | 最大 1,200keV(1 価で 400kV 加速) |
| 基板サイズ | — | — | 最大 Φ150(IH-860PSIC)・Φ200(IH-1200PSIC) | Φ125〜200 mm |
| イオン種 | — | — | P・B・Ar・Al・N | P・H |
1機種だけが掲載している項目(3件)
| 特徴 | 広いエネルギーレンジ・金属汚染制御 | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| 関連機種 | Purion XE+ SiC・Purion EXE+ SiC(SiCパワーデバイス向け)(派生機種) | — | — | — |
| シリーズ構成 | — | S-UHE/SS-UHE Ⅱ/HE3 | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC パワーデバイスのイオン注入
- •MEMS
掲載カテゴリ
IHは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
ULVAC(アルバック)
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
高エネルギーイオン注入装置のほかの製品
ULVAC(アルバック)のほかの製品
ENTRON-EXX(PVD装置)CME-200E(PE-CVD)(CVD装置)ENTRON-EX W300(PVD装置)ei-5(真空蒸着装置)HELIOT 900 シリーズ(リークディテクタ)Luminous NA シリーズ(アッシング装置(レジスト灰化))CCMT-D シリーズ(真空計・圧力コントローラ)H83/H84(拡散炉)(拡散炉)IMX-3500(イオン注入装置)(中電流イオン注入装置)SOPHI(中電流イオン注入装置)(中電流イオン注入装置)SOPHI-400(高エネルギーイオン注入装置)(高エネルギーイオン注入装置)RISE-300(自然酸化膜除去装置)(ドライ洗浄装置)NLD-570(ドライエッチング装置)(MEMS)NLD-5700(ドライエッチング装置)(MEMS)NE-550EX(ドライエッチング装置)(ドライエッチング装置)uGmni-200E(ドライエッチング装置)(ドライエッチング装置)ei-5/EVD-600LP(蒸着装置)(真空蒸着装置)CC-200(PE-CVD 装置)(PECVD(プラズマCVD))CME(PE-CVD 装置)(PECVD(プラズマCVD))uGmni-200C(PE-CVD 装置)(PECVD(プラズマCVD))CS(スパッタリング装置)(スパッタリング装置)SEGul-200(GaN スパッタエピ装置)(化合物半導体)SRH(スパッタリング装置)(スパッタリング装置)SME(スパッタリング装置)(スパッタリング装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07