SOPHI-400（高エネルギーイオン注入装置）

パワーデバイス・IGBT 向けで最大 1,200keV に対応する高エネルギーイオン注入装置。

SOPHI-400とは

SOPHI-400 は、アルバックの高エネルギーのイオン注入装置です。パワーデバイスや IGBT 向けでトップシェアを持ち、最大 1,200keV まで対応します。

極薄ウェーハを直接搬送で処理でき、反った基板の直接搬送や高精度のオリフラ合わせもできます。1 価で 400kV の加速が可能で、平行ビームで高精度に注入します。

保守がしやすく所有コストも低く、オプションで 5kV からの低エネルギー注入もできます。パワーデバイスなどの薄型基板プロセス、IGBT プロセス、VCSEL、SOI／LNOI、MEMS に使われます。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Axcelis TechnologiesPurion XE	住友重機械イオンテクノロジーS-UHE／SS-UHE Ⅱ	ULVAC（アルバック）IH（高エネルギーイオン注入装置）	ULVAC（アルバック）SOPHI-400（高エネルギーイオン注入装置）
区分	高エネルギーイオン注入装置	高エネルギーイオン注入装置	—	—
加速方式	RFリニアック（LINAC）	多段RFリナック	—	—
主要用途	深いウェル形成などの高エネルギー注入	レトログレードウェルなどの深部注入	—	—
エネルギー	—	—	最大 1,200keV（3 価イオン）	最大 1,200keV（1 価で 400kV 加速）
基板サイズ	—	—	最大 Φ150（IH-860PSIC）・Φ200（IH-1200PSIC）	Φ125〜200 mm
イオン種	—	—	P・B・Ar・Al・N	P・H

1機種だけが掲載している項目（3件）

特徴	広いエネルギーレンジ・金属汚染制御	—	—	—
関連機種	Purion XE+ SiC・Purion EXE+ SiC（SiCパワーデバイス向け）（派生機種）	—	—	—
シリーズ構成	—	S-UHE／SS-UHE Ⅱ／HE3	—	—

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。