VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）
Varian由来のデュアルマグネット枚葉アーキテクチャを採用した高エネルギーイオン注入装置。Applied Materialsは、本機の優れた金属汚染性能がCMOSイメージセンサー技術に利すると説明しています。
VIISta 3000XPとは
VIISta 3000XP は、Applied Materials（旧 Varian）の枚葉式 高エネルギーイオン注入装置です。実績のある Varian のデュアルマグネット枚葉アーキテクチャをベースに、先端の高エネルギー注入に必要な角度精度を持ちます。
65nm より先のノードでは、従来のバッチ式高エネルギー注入装置の限界が、高エネルギー工程でデバイス性能の問題を生みます。量産に求められる精密な角度制御、ドーズ制御、生産性を得るには枚葉式のアーキテクチャが必要です。
金属汚染の性能を高めるよう開発されており、CMOS イメージセンサーの技術に役立ちます。中電流機のバックアップとしても適しています。中電流で市場をリードする VIISta 900XP と同じ枚葉のエンドステーション、ドーズ測定系、ウェーハ位置決め系を使っています。
主な特長
- •デュアルマグネットの枚葉アーキテクチャ
- •高エネルギー注入の精密な角度・ドーズ制御
- •金属汚染を抑えた設計
- •VIISta 900XP と共通のエンドステーション
主な仕様
| 装置種別 | 高エネルギーイオン注入装置（枚葉式） |
|---|---|
| アーキテクチャ | デュアルマグネット・シングルウェーハ方式 |
| 角度・ドーズ制御 | バッチ式では困難な高エネルギー用途の角度精度に対応 |
| 金属汚染 | 優れた金属汚染性能（メーカーがCIS向けの利点として明示） |
| 主要用途 | 深部への高エネルギー注入、中電流工程のバックアップ |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •CMOS イメージセンサーの深いフォトダイオード形成
- •高エネルギー注入・中電流機のバックアップ
掲載カテゴリ
VIISta 3000XPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06