最後更新:2026年10月23日CVD 設備

Episode 2 DMR的特點與規格

東京威力科創(TEL)・CVD 設備

可同時傳送・沉積 2 片晶圓的東京威力科創單晶圓薄膜沉積平台。用於記憶體的 TiN 成膜。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Episode 2 是東京威力科創(TEL)可同時傳送 2 片晶圓的 300mm 單晶圓薄膜沉積平台。兼顧高生產力與小佔地面積,有助於提升工廠生產力。

製程模組 DMR(Duo Matched Reactor)是同時對 2 片晶圓成膜的模組。沿襲許多記憶體廠商採用的 Triase+ EX-II 系列,並搭載因應元件進一步 3 維化與高深寬比的新功能。

用於電容電極、字元線 TiN、阻障金屬層等的 ASFD TiN 成膜。也搭載了強化的設備資料收集與邊緣資訊處理系統。

主要規格

方式2 片同時傳送・同時成膜(DMR:Duo Matched Reactor)
構成1~4 個腔體
主要用途電容電極・字元線 TiN・阻障金屬層

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

2 片同時傳送・同時成膜
沿襲 Triase+ EX-II
支援高深寬比

主要用途

  • DRAM 電容電極
  • 字元線 TiN・阻障金屬層

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣東京威力科創(新竹):台灣子公司(1996 年成立)。設有訓練中心,並規劃擴建無塵室
  • 台南營運中心(台南):動工時預計 2024 年下半年完工,樓地板面積約 3.5 萬平方公尺,可容納近千名員工,負責零組件處理、技術服務與維修

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資料來源

  1. 東京威力科創(TEL)官方產品頁面:TEL Episode