Episode™ 2 DMR

ウェーハ 2 枚を同時に搬送・成膜する TEL の枚葉成膜プラットフォーム。メモリの TiN 成膜に使う。

Episode 2 DMRとは

Episode 2 は、東京エレクトロン（TEL）のウェーハを 2 枚同時に搬送する 300mm 枚葉成膜プラットフォームです。高い生産性と省フットプリントを両立し、工場の生産性向上に貢献します。

プロセスモジュール DMR（Duo Matched Reactor）は 2 枚のウェーハを同時に成膜するモジュールです。多くのメモリメーカーで採用されている Triase+ EX-II シリーズを踏襲し、デバイスのさらなる 3 次元化と高アスペクト比に対応する新機能を搭載しています。

キャパシタ電極、ワードラインの TiN、バリアメタルなどの ASFD TiN 成膜に使われます。強化された装置データ収集とエッジ情報処理システムも搭載しています。

主な特長

•2 枚同時搬送・同時成膜
•Triase+ EX-II を踏襲
•高アスペクト比に対応

主な仕様

方式	2 枚同時搬送・同時成膜（DMR：Duo Matched Reactor）
構成	1〜4 チャンバー
主要用途	キャパシタ電極・ワードライン TiN・バリアメタル

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD	Applied MaterialsProducer® XP Precision® Pioneer® CVD	Applied MaterialsCentura® DXZ CVD	Applied MaterialsCentura® Ultima HDP CVD®	Applied MaterialsCentura™ iSprint™ SSW ALD/CVD	Applied MaterialsEndura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD	Applied MaterialsEndura® Volta® Cobalt CVD	Applied MaterialsEndura® Volta® Selective W CVD	Applied MaterialsEndura® Volta® W CVD	Applied MaterialsProducer® CVD	Applied MaterialsProducer® Eterna® FCVD™	Applied MaterialsProducer® HARP®	Applied MaterialsProducer® XP Precision® Draco™ CVD	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ EX-II™ TiN	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ Ti/TiN	東京エレクトロン（TEL）Episode™ 1	東京エレクトロン（TEL）Episode™ 2 DMR	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	Lam ResearchALTUS®（W／Mo の CVD・ALD）	Lam ResearchSPEED®（HDP-CVD）	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）	ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD）
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）	CVD（高密度カーボンハードマスク）	—	高密度プラズマ CVD	ALD／CVD（シーム抑制タングステン）	CVD ルテニウム（CuBS 統合材料ソリューション）	CVD コバルト（ライナー＋選択キャップ）	表面処理＋選択タングステン CVD	CVD（W-カーボン膜＋バルク W）	—	流動性 CVD（Flowable CVD）	熱 CVD（オゾン／TEOS・非プラズマ）	CVD（ハードマスク）	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）	枚葉 ASFD（Advanced Sequential Flow Deposition）	枚葉 CVD（SFD TiN・HP Ti もラインアップ）	枚葉成膜プラットフォーム	2 枚同時搬送・同時成膜（DMR：Duo Matched Reactor）	PECVD（クアッドステーションモジュール）	CVD／ALD（クアッドステーションモジュール）	高密度プラズマ CVD（成膜＋その場エッチング）	ラージバッチ縦型炉	PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送）
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜	—	—	STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション	ロジック・メモリのコンタクト埋め込み	—	—	—	ロジックのコンタクト・MOL・メタルゲート埋め込み	—	—	STI・PMD の埋め込み	DRAM のストレージキャパシタ形成	コンタクトプラグ・ビアフィル	コンタクトバリア・キャパシタ電極・ワードラインバリア・メタルゲート	コンタクト工程	先端ロジックのコンタクト（プリクリーン・CVD Ti）	キャパシタ電極・ワードライン TiN・バリアメタル	層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜	—	STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション	—	パワーデバイス・LED・LD・MEMS
対応ウェハ径	300 mm	—	150／200 mm（SiC ウェーハにも対応）	200／300 mm	—	—	—	—	—	150／200／300 mm（SiC ウェーハにも対応）	—	—	—	300 mm	—	—	—	—	—	—	—	300 mm	—
特徴	—	先端のエッチング化学に強く側壁の均一性が高い	—	—	開口部の成長を抑える処理で底から W を成長	—	—	—	—	—	—	ひずみ誘起膜で駆動電流・保持時間を改善	—	—	—	—	—	—	—	多温度の逐次成膜・熱／プラズマ Mo ALD・ACE 統合クリーン	—	最大 1.25 倍のロット処理（同社比）・深溝への均一成膜	—
膜種	—	—	TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜・Low-k など	—	—	—	—	—	—	TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜など	—	—	—	—	TiN（Plus HT・TiON もラインアップ）	Ti・TiN	—	—	—	タングステン・モリブデン	—	—	—
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	W（タングステン）	—	—	—	—	ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜	—	—	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂
効果	—	—	—	—	—	—	EM 性能を 1 桁改善・選択比 100:1 超	ライナー／核生成層を省きコンタクト抵抗を低減	ライナー抵抗率を TiN 比 70% 以上低減	—	—	—	選択比を従来の DRAM キャパシタ用比 30% 以上向上	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Twin Chamber（同時に最大 6 枚）	—	—	—	—	—	—	最大 8 プロセスモジュール（OPTCURE・ORTAS）	1〜4 チャンバー	—	—	—	—	—
対象世代	—	—	—	—	—	3nm 以降	—	—	—	—	20nm 以下	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi	—	—	—	—	VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（9件）

組み合わせ	—	Sculpta・Sym3 Y Magnum と共同最適化	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
スループット	—	—	PE TEOS・プラズマシランで最大 80 wph	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ライナー	—	—	—	—	—	RuCo 2 元系・20Å 未満	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
膜厚	—	—	—	—	—	—	20Å 未満	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
対象	—	—	—	—	—	—	—	MOL（ミドルオブライン）コンタクト	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
埋め込み性能	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	アスペクト比 30:1 まで	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	SPEED NExT・SPEED Max	—	—
処理	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	CVD 膜・酸化膜形成、酸化・拡散・アニール	—
対応基板	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	200 mm 角（CME-400E は 300×400 mm、CME-500E は 500 mm 角）