ノッチング（エッチング形状）とは

ノッチングとは、ドライエッチングで、エッチングする膜の下に絶縁膜がある場合に、パターンの根元が横方向にえぐれて切り欠き（ノッチ）ができる不良です。ポリシリコンのゲート電極を下のゲート酸化膜の上で加工するときや、SOIウェハのシリコン層を埋め込み酸化膜の上まで掘るときに起こりやすい現象です。

主な原因は、パターンの間の帯電（チャージアップ）です。プラズマの中のイオンはほぼ垂直に入るため底まで届きますが、電子は方向がばらばらなため、細い溝の上部の側壁にたまりやすくなります。その結果、上部はマイナスに、下の絶縁膜の底はイオンでプラスに帯電し、後から来たイオンが底のプラスの電荷に反発して横に曲げられ、パターンの根元を削ります。下の膜が露出した後のオーバーエッチングの時間に特に進みます。

ノッチングが起こると、ゲートの長さが根元で変わってトランジスタの特性がばらついたり、配線が細くなって断線しやすくなったりします。対策としては、プラズマをパルス状にオン・オフして、オフの間に電子を底まで届かせて帯電を打ち消す方法や、バイアスの周波数を下げてイオンのエネルギーを調整する方法、オーバーエッチングの条件を変える方法がとられます。なお、ウェハの結晶方位を示す切り欠き（ノッチ）とは別の意味です。