Producer® XP Precision® CVD

Twin Chamber 設計を発展させた Applied Materials の CVD システム。3D 構造で縦方向に移った CD 要求に応える、高い成膜均一性を持つ。

Producer XP Precision CVDとは

Producer XP Precision CVD は、Applied Materials の Twin Chamber 設計を発展させた CVD システムです。チャンバー環境とプロセスパラメータの相互作用を最適化する構造に作り直し、平面から 3D 構造への移行に必要な成膜均一性を実現しました。

平面デバイスでは CD 制御は水平面の問題でリソグラフィの精度が問われましたが、3D 構造では重要寸法が垂直方向に移り、要求が成膜に移ります。異なる材料を交互に積み重ねる 3D NAND では、各層の不均一が積み重なって伝播するため、成膜の均一性が最も重要になります。

Precision システムは、高選択比・低応力・高透明性を持つ Saphira APF のような新しいハードマスク膜も可能にしました。層数が増え続ける 3D NAND の長いエッチングや、先端 DRAM の高アスペクト比加工に耐える膜です。Producer メインフレームと高速な搬送プロトコルにより、高いスループット密度を得ています。

主な特長

•Twin Chamber 設計を発展させた高均一 CVD
•3D NAND の交互積層に必要な層間均一性
•Saphira APF など新しいハードマスク膜に対応
•Producer メインフレームによる高スループット密度

主な仕様

対応ウェハ径	300 mm
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）	ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD）
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）	PECVD（クアッドステーションモジュール）	ラージバッチ縦型炉	PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送）
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク	W（タングステン）	ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜	コンタクトプラグ・ビアフィル	層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜	—	パワーデバイス・LED・LD・MEMS
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	—	300 mm	—
シリーズ構成	—	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi	VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）

処理	—	—	—	CVD 膜・酸化膜形成、酸化・拡散・アニール	—
特徴	—	—	—	最大 1.25 倍のロット処理（同社比）・深溝への均一成膜	—
対応基板	—	—	—	—	200 mm 角（CME-400E は 300×400 mm、CME-500E は 500 mm 角）