レチクルストッカーメーカー1社
レチクルストッカーは、フォトマスク(レチクル)をクリーンな環境で保管し、露光装置からの要求に応じて自動で払い出す保管・搬送システムです。マスクはヘイズの成長やパーティクル付着で劣化するため、窒素パージや高清浄度の環境制御を備えた庫内で管理します。RFIDによる個体管理、AMHSとの接続による無人搬送、使用履歴や洗浄時期の追跡機能を持ち、多品種のマスクを扱うファブほど運用効率への寄与が大きくなります。
メーカー 1 社関連カテゴリ 6 件
主要特徴
レチクルを清浄環境で保管し露光装置へ自動で払い出す
窒素パージなどの環境制御でヘイズ成長と付着汚染を抑える
RFIDによる個体管理と使用履歴・洗浄時期の追跡ができる
AMHSと接続して無人搬送する構成が一般的
メーカー
1社の主要メーカー
村田機械(Muratec)日本
半導体ファブ向けAMHS(OHT・ストッカー)と後工程実装周辺装置を手掛ける総合メーカー。Daifukuと並ぶクリーンルーム搬送の主要プレーヤー。
搬送・保管システム
OHTストッカー
実装関連装置
ダイボンダー
- •OHT(天井搬送システム)で世界トップクラスのシェア
- •ストッカー・自動倉庫との統合ソリューション
関連カテゴリ
マスク洗浄・乾燥装置
マスク洗浄・乾燥装置は、フォトマスク(レチクル)表面に付着したパーティクル・有機汚染・ヘイズを除去する装置です。
メーカー 3 社マスクコータ/デベロッパマスクコータ/デベロッパは、マスクブランクスへのレジスト塗布と、電子線描画後の現像を行う装置です。
メーカー 2 社マスクエッチング装置マスクエッチング装置は、電子線描画と現像を経たレジストパターンをマスクとして、ブランクス上のクロム膜や位相シフト膜(MoSi)をエッチングし、最終的な遮光パターンを形成する装置です。
メーカー 2 社マスク寸法・平面度測定装置マスク寸法・平面度測定装置は、完成したフォトマスクのパターン寸法(CD)・位置精度(レジストレーション)・基板の平坦度を測定する装置です。
メーカー 4 社マスク修正装置マスク修正装置は、製造後のフォトマスク(レチクル)に存在する欠陥を原子・ナノメートルレベルで除去・補修する装置です。
メーカー 3 社マスク描画装置(EB描画)マスク描画装置(EB描画装置)は、電子線(EB:Electron Beam)を使用してフォトマスクブランク上に回路パターンを高精度で描画する装置です。
メーカー 5 社関連用語
比較・違いを学ぶ
EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代…
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19…
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
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ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E…
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部…