マスクエッチング装置メーカー2

マスクエッチング装置は、電子線描画と現像を経たレジストパターンをマスクとして、ブランクス上のクロム膜や位相シフト膜(MoSi)をエッチングし、最終的な遮光パターンを形成する装置です。ドライエッチング方式が主流で、対象が絶縁性の石英基板であるため、ウェハ用装置とは異なるチャージアップ対策と面内均一性の作り込みが必要です。CD均一性とエッチング後の側壁形状が、露光時の解像性能とマスクエラー増倍率に影響します。

メーカー 2関連カテゴリ 6

主要特徴

クロム膜・位相シフト膜(MoSi)をエッチングし遮光パターンを形成
ドライエッチング方式が主流で高い面内CD均一性が要求される
絶縁性石英基板が対象のためチャージアップ対策が必要
側壁形状が解像性能とマスクエラー増倍率(MEEF)に影響する

メーカー

2社の主要メーカー

Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
会社詳細
Suss MicroTecドイツ

ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。

ウェーハレベルパッケージング装置
ボンディング装置コーティング装置
リソグラフィ装置
マスクアライナー
  • ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
  • マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
会社詳細

関連カテゴリ

関連用語

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る