イオン注入量測定装置メーカー2社
イオン注入量測定装置は、イオン注入工程で基板へ打ち込まれたドーパント量（ドーズ量）と面内均一性を検証する計測装置です。注入により生じた結晶損傷を熱波（サーマルウェーブ）法で検出する方式や、活性化アニール後のシート抵抗から換算する方式があり、モニタウェハを用いた注入装置の日常管理に使われます。ドーズ量のずれはしきい値電圧の変動として直接デバイス特性に現れるため、ビーム電流の校正と併せて重要な管理項目です。
主要特徴
メーカー
2社の主要メーカー
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
結晶成長装置と超音波検査装置のドイツ系メーカー。シリコンのCZ引き上げ炉、SiC・AlNのPVT（昇華）成長炉、真空炉、超音波非破壊検査装置を手掛ける。
- •CZ引き上げ炉・PVT成長炉の両方を供給
- •化合物半導体の結晶成長装置に強み
関連カテゴリ
CD-SEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscope）は、ナノメートル精度でリソグラフィ・エッチング後のパターン線幅（CD）を非破壊計測する装置です。
メーカー 3 社異物・汚染分析装置異物・汚染分析装置は、検査装置が見つけた異物やウェハ表面の汚染について、元素組成と由来を特定する装置群です。
メーカー 5 社エリプソメータエリプソメータは、試料表面で反射した光の偏光状態の変化（振幅比Ψと位相差Δ）を測定し、薄膜の膜厚と光学定数（屈折率n・消衰係数k）を非接触で求める計測装置です。
メーカー 3 社膜組成分析装置（XRF/FTIR）膜組成分析装置は、成膜した薄膜の組成比・膜厚・不純物濃度を非破壊で評価する装置群です。
メーカー 4 社平坦度・ウェハ厚測定装置平坦度・ウェハ厚測定装置は、ウェハの厚さ・TTV（厚さばらつき）・反り（Warp／Bow）・ナノトポグラフィといった形状パラメータを測定する装置です。
メーカー 3 社ライフタイム測定装置ライフタイム測定装置は、シリコン基板中で生成された少数キャリアが再結合して消滅するまでの平均時間（キャリアライフタイム）を測定する装置です。
メーカー 2 社光学式寸法測定装置（OCD）光学式寸法測定装置（OCD／スキャトロメトリ）は、周期パターンに光を照射して得られる反射スペクトルを、光学モデルによる理論スペクトルと照合し、線幅・高さ・側壁角などの断面形状を非破壊で求める計測装置です。
メーカー 3 社オーバーレイ計測装置オーバーレイ計測装置は、多層リソグラフィ工程において前のパターン層と現在の露光層の位置ずれ（オーバーレイ誤差）を光学的に高速・精密計測する装置です。
メーカー 3 社シート抵抗測定装置シート抵抗測定装置は、拡散層や金属薄膜の単位面積あたりの抵抗（Ω/sq）を測定し、ドーピング濃度や膜厚の面内均一性を評価する装置です。
メーカー 3 社段差・表面粗さ測定装置段差・表面粗さ測定装置は、薄膜の段差量や表面のミクロな凹凸を測定する装置です。
メーカー 3 社