光学式寸法測定装置(OCD)メーカー3

光学式寸法測定装置(OCD/スキャトロメトリ)は、周期パターンに光を照射して得られる反射スペクトルを、光学モデルによる理論スペクトルと照合し、線幅・高さ・側壁角などの断面形状を非破壊で求める計測装置です。CD-SEMが上面からの寸法を高分解能で測るのに対し、OCDは3次元形状パラメータを一度に高速取得できるため、FinFETのフィン高さや深いトレンチの形状管理に適します。測定精度は光学モデルの妥当性に依存します。

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主要特徴

反射スペクトルと光学モデルの照合で断面形状を非破壊測定する
線幅だけでなく高さ・側壁角など3次元パラメータを同時取得
FinFETのフィン高さや深いトレンチの形状管理に適する
測定精度は構築した光学モデルの妥当性に依存する

メーカー

3社の主要メーカー

KLA米国

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

検査装置
ウェーハ検査システムマスク検査装置
計測装置
CD計測膜厚計測オーバーレイ計測
データ分析
aiSIGHTKlarity
  • 検査・計測装置における世界的リーダー
  • AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
会社詳細
Onto Innovation米国

Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。

ウェハ検査装置
Dragonfly G3
膜厚・オーバーレイ計測
Atlas VFirefly
  • 光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
  • 先端パッケージング(FO-WLP・HBM)向け計測ソリューション
会社詳細
ノヴァ・メジャリング・インスツルメンツ(Nova)イスラエル

光学式膜厚計測・オーバーレイ計測装置の専業メーカー。イスラエル発のプロセス制御計測企業で、先端ロジック・メモリの歩留まり管理向け計測装置を供給する。

計測装置
光学式膜厚計測装置オーバーレイ計測装置
  • 光学式膜厚・オーバーレイ計測に特化
  • 先端ノード向けプロセス制御に強み
会社詳細

関連カテゴリ

CD-SEM

CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)は、ナノメートル精度でリソグラフィ・エッチング後のパターン線幅(CD)を非破壊計測する装置です。

メーカー 3
異物・汚染分析装置

異物・汚染分析装置は、検査装置が見つけた異物やウェハ表面の汚染について、元素組成と由来を特定する装置群です。

メーカー 5
イオン注入量測定装置

イオン注入量測定装置は、イオン注入工程で基板へ打ち込まれたドーパント量(ドーズ量)と面内均一性を検証する計測装置です。

メーカー 2
エリプソメータ

エリプソメータは、試料表面で反射した光の偏光状態の変化(振幅比Ψと位相差Δ)を測定し、薄膜の膜厚と光学定数(屈折率n・消衰係数k)を非接触で求める計測装置です。

メーカー 3
膜組成分析装置(XRF/FTIR)

膜組成分析装置は、成膜した薄膜の組成比・膜厚・不純物濃度を非破壊で評価する装置群です。

メーカー 4
平坦度・ウェハ厚測定装置

平坦度・ウェハ厚測定装置は、ウェハの厚さ・TTV(厚さばらつき)・反り(Warp/Bow)・ナノトポグラフィといった形状パラメータを測定する装置です。

メーカー 3
ライフタイム測定装置

ライフタイム測定装置は、シリコン基板中で生成された少数キャリアが再結合して消滅するまでの平均時間(キャリアライフタイム)を測定する装置です。

メーカー 2
オーバーレイ計測装置

オーバーレイ計測装置は、多層リソグラフィ工程において前のパターン層と現在の露光層の位置ずれ(オーバーレイ誤差)を光学的に高速・精密計測する装置です。

メーカー 3
シート抵抗測定装置

シート抵抗測定装置は、拡散層や金属薄膜の単位面積あたりの抵抗(Ω/sq)を測定し、ドーピング濃度や膜厚の面内均一性を評価する装置です。

メーカー 3
段差・表面粗さ測定装置

段差・表面粗さ測定装置は、薄膜の段差量や表面のミクロな凹凸を測定する装置です。

メーカー 3

関連用語

比較・違いを学ぶ

電子ビーム検査と光学検査の違い(欠陥検査方式の比較)
電子ビーム検査(E-beam Inspection)は電子ビームでウェハを走査し二次電子・反射電子像から欠陥を検出する方式で、数nm級の微小欠陥や配線のオープン
SEMとTEMの違い
SEMとTEMはどちらも電子線を使う顕微鏡で、光学顕微鏡では見えないナノメートル領域を観察するために使われます。名前は似ていますが、電子と試料の関わり方が根本的
四探針法とホール効果測定の違い
どちらも半導体の電気特性を測る基本手法ですが、得られる情報の量が違います。四探針法は抵抗率という1つの値を素早く測れる一方、その値の内訳までは教えてくれません。
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