Endura® PVD
半導体史上もっとも成功したメタライゼーションシステムとされる Applied Materials の PVD プラットフォーム。プリクリーン 2 室を含め最大 9 チャンバーを組み合わせる。
Endura PVDとは
Endura PVD は、Applied Materials が「半導体業界の歴史で最も成功したメタライゼーションシステム」とする PVD(物理気相成長)プラットフォームです。コバルトやタングステンの前工程配線、アルミ・銅の配線、UBM などのパッケージ用途まで幅広く使われ、過去20年間に作られたマイクロチップの大半が Endura で製造されたとしています。
膜厚を厳密に制御した超高純度の多様な膜を、優れたボトムカバレッジと高いコンフォーマリティで成膜できます。プリクリーン(自然酸化膜除去)2 室を含めて最大 9 つのプロセスチャンバーを搭載でき、チャンバーを組み合わせて一連の多段プロセスを構成できます。
150mm/200mm では、パワーデバイス、MEMS、RF、フォトニクス、TSV などの More than Moore 用途で、Sc ドープ AlN、PZT、AlN、ITO、Al₂O₃、Ge などの新材料の厚く均一な低温成膜が求められています。透明な SiC ウェーハの搬送にも配慮した機能を備えます。
主な特長
- •最大 9 チャンバー(プリクリーン 2 室を含む)を組み合わせ
- •高純度・高ボトムカバレッジ・高コンフォーマリティ
- •Sc ドープ AlN・PZT など More than Moore 向け新材料
- •透明 SiC ウェーハの搬送に対応
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 150/200/300 mm |
|---|---|
| 方式 | PVD(スパッタリング)マルチチャンバー |
| チャンバー構成 | 最大 9 チャンバー(プリクリーン 2 室を含む) |
| 主要用途 | Co・W・Al・Cu 配線、UBM、パワー・MEMS 向け新材料 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsEndura® PVD | 東京エレクトロン(TEL)LEXIA™-EX(PVD) | ULVAC(アルバック)ENTRON-EXX |
|---|---|---|---|
| 方式 | PVD(スパッタリング)マルチチャンバー | マルチカソード/デュアルカソード PVD | PVD マルチチャンバ(Single/Tandem) |
| 対応ウェハ径 | 150/200/300 mm | 300 mm | — |
| チャンバー構成 | 最大 9 チャンバー(プリクリーン 2 室を含む) | — | 最大 12 モジュール |
| 主要用途 | Co・W・Al・Cu 配線、UBM、パワー・MEMS 向け新材料 | — | ロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリの配線・電極膜 |
1機種だけが掲載している項目(3件)
| スループット | — | 100 wph(従来機比 20% 以上向上) | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | — | フットプリント約 40% 削減・CO₂ 排出約 14% 削減 | — |
| 関連機種 | — | EXIM(STT-MRAM 向け超多層膜) | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •Co・W の前工程配線、Al・Cu 配線
- •UBM(アンダーバンプメタル)
- •パワー・MEMS・RF・フォトニクスの成膜
掲載カテゴリ
Endura PVDは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。