東京威力科創適用 300mm 的單晶圓薄膜沉積設備 Triase+ 之鎢 CVD 規格。結合 SFD 成核層與一般薄膜，以高階梯覆蓋率進行填充。
目錄5 項
- 產品概要
- 主要規格
- 主要特點
- 製造商與在台據點
- 資料來源
產品概要
Triase+ 是東京威力科創適用 300mm 晶圓的單晶圓式薄膜沉積設備系列，Triase+ W 為其鎢（W）CVD 規格。結合 SFD（Sequential Flow Deposition）成核層與一般薄膜形成，以高階梯覆蓋率填充微細的接觸窗與通孔。
可沉積低電阻薄膜，加熱採用燈管。腔體清潔採用不使用電漿的方式。主要用途為接觸窗插塞與通孔填充。
系列中還有以 ASFD 方式沉積高階梯覆蓋率 TiN／TiON 的 Triase+ EX-II TiN（電容電極・字元線阻障層・金屬閘極）、兼顧低電阻化與降低接面漏電流的 Triase+ Ti/TiN（接觸窗），以及以低溫・低損傷電漿處理進行閘極氮化等的 Triase+ SPAi。腔體最多 4 個。
主要規格
| 適用晶圓尺寸 | 300 mm |
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| 方式 | 單晶圓式 CVD（SFD 成核層＋一般薄膜，燈管加熱） |
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| 對象薄膜 | W（鎢） |
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| 系列組成 | Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi |
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| 主要用途 | 接觸窗插塞・通孔填充 |
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規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
以 SFD 成核層＋一般薄膜實現高階梯覆蓋率的 W 填充 製造商與在台據點
在台據點
- 台灣東京威力科創（新竹）：台灣子公司（1996 年成立）。設有訓練中心，並規劃擴建無塵室
- 台南營運中心（台南）：動工時預計 2024 年下半年完工，樓地板面積約 3.5 萬平方公尺，可容納近千名員工，負責零組件處理、技術服務與維修