Triase+™ W（枚葉式W-CVD）

東京エレクトロンの 300mm 対応枚葉成膜装置 Triase+ のタングステン CVD 仕様。SFD の核付け層と通常膜を組み合わせ、高いステップカバレッジで埋め込む。

Triase+ Wとは

Triase+ は、東京エレクトロンの 300mm ウェーハ対応枚葉式成膜装置のシリーズで、Triase+ W はそのタングステン（W）CVD 仕様です。SFD（Sequential Flow Deposition）による核付け層と通常の膜形成を組み合わせ、高いステップカバレッジで微細なコンタクトやビアを埋め込みます。

低抵抗膜に対応し、加熱にはランプを使います。チャンバーのクリーニングはプラズマを使わない方式です。主な用途はコンタクトプラグとビアフィルです。

シリーズには、ASFD 方式で高ステップカバレッジの TiN／TiON を成膜する Triase+ EX-II TiN（キャパシタ電極・ワード線バリア・メタルゲート）、低抵抗化と接合リーク低減を両立する Triase+ Ti/TiN（コンタクト）、低温・低ダメージのプラズマ処理でゲート窒化などを行う Triase+ SPAi があります。チャンバーは最大 4 基です。

主な特長

•SFD 核付け層＋通常膜による高ステップカバレッジの W 埋め込み
•低抵抗膜に対応、ランプ加熱
•プラズマレスのチャンバークリーニング
•枚葉式、最大 4 チャンバー（シリーズ共通）

主な仕様

対応ウェハ径	300 mm
方式	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）
対象膜	W（タングステン）
シリーズ構成	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi
主要用途	コンタクトプラグ・ビアフィル

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）	ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD）
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）	PECVD（クアッドステーションモジュール）	ラージバッチ縦型炉	PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送）
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク	W（タングステン）	ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜	コンタクトプラグ・ビアフィル	層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜	—	パワーデバイス・LED・LD・MEMS
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	—	300 mm	—
シリーズ構成	—	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi	VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）

処理	—	—	—	CVD 膜・酸化膜形成、酸化・拡散・アニール	—
特徴	—	—	—	最大 1.25 倍のロット処理（同社比）・深溝への均一成膜	—
対応基板	—	—	—	—	200 mm 角（CME-400E は 300×400 mm、CME-500E は 500 mm 角）