装置・材料メーカー

フォトレジスト開発エンジニア

最終更新:2026-09-28

この職種は何をするのか

フォトレジスト開発エンジニアは、露光によって溶け方が変わる感光性材料(フォトレジスト)を設計・開発する職種です。樹脂・光酸発生剤・添加剤の組み合わせで、解像性・感度・ラインエッジラフネスの3つを同時に高めることが求められますが、3つはトレードオフの関係にあります。EUV露光では光子の数が少ないことによる確率的な欠陥が新たな課題になり、金属酸化物レジストなど新しい材料系の開発が進んでいます。

仕事内容

レジスト材料の分子設計

樹脂の構造、光酸発生剤の種類と量、酸の拡散を抑えるクエンチャーの配合を設計します。わずかな組成の違いが、パターンの形状や欠陥に大きく影響します。

露光評価

社内の露光装置とコータデベロッパでパターンを作り、CD-SEMで解像性・感度・LERを評価します。条件出しのための評価ウェハを大量に流すのが日常です。

EUVレジストの課題への対応

EUVでは露光量あたりの光子数が少なく、確率的にパターンが欠けたりつながったりします。感度と欠陥のバランスをとる材料設計が最大のテーマです。

品質管理と顧客評価

金属不純物や微小な異物を極限まで減らした量産品質を保ち、顧客ファブでの評価に立ち会います。ロットごとの性能差をなくすことも重要な仕事です。

担当する工程・装置

フォトレジスト半導体製造装置 / 材料EUVレジスト半導体製造装置 / 材料現像液・リンス液半導体製造装置 / 材料 / プロセス薬液コータ/デベロッパ半導体製造装置 / 前工程装置 / 露光装置ベーク・UVキュア装置半導体製造装置 / 前工程装置 / 露光装置

必要になる知識・用語

フォトレジストPhotoresistEUVレジストEUV Photoresistレジスト(フォトレジスト)Resist (Photoresist)EUV確率論的効果Stochastic Effects (EUV)ラインエッジラフネス(LER)Line Edge Roughness反射防止膜Bottom Anti-Reflective Coating (BARC)スピンオンカーボンSpin-On Carbon (SOC)TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)Tetramethylammonium HydroxideHMDS(ヘキサメチルジシラザン)Hexamethyldisilazaneパターン倒壊Pattern Collapse

主な企業

JSRJP東京応化工業(TOK)JP信越化学工業JP富士フイルム(半導体材料)JP住友化学JPDuPont(半導体材料)USMerck KGaA(半導体材料)DEBrewer ScienceUS

関連する技術比較

ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)EUV露光装置とDUV露光装置の違いArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)

よくある質問

化学系の出身者が向いていますか?

高分子化学・有機合成・光化学の出身者が中心です。評価の段階では露光や計測の知識も必要になるため、入社後にリソグラフィを学ぶ人が多い職種です。

日本企業の強さは?

フォトレジストは日本企業が世界シェアの大半を持つ分野で、JSR、東京応化工業、信越化学工業、富士フイルム、住友化学が主要メーカーです。EUVレジストでも日本企業が中心です。

リソグラフィエンジニアとの関係は?

レジストメーカーの開発者がつくった材料を、デバイスメーカーのリソグラフィエンジニアが量産条件で評価して採用を判断します。両者は密接に共同評価を行う関係です。

関連する職種

リソグラフィエンジニア前工程(ウェハプロセス)材料開発装置・材料メーカー特殊ガス・薬液装置・材料メーカー