前工程(ウェハプロセス)

リソグラフィエンジニア(露光工程)

最終更新:2026-09-28

この職種は何をするのか

リソグラフィエンジニアは、露光装置(スキャナ)とコータデベロッパを使い、マスク上の回路パターンをウェハ上のレジストに転写する工程を担当する職種です。管理する指標は寸法(CD)と重ね合わせ(オーバーレイ)の2つが中心で、どちらもナノメートル単位の規格で運用されます。先端ノードではEUV露光とマルチパターニングの扱いが仕事の大半を占めます。

仕事内容

露光条件(ドーズ・フォーカス)の最適化

ドーズとフォーカスを振ったFEMウェハを流し、CDとパターン倒れの両方が規格に入るプロセスウィンドウを求めます。ウィンドウの広さがそのまま量産の余裕になります。

重ね合わせ(オーバーレイ)の管理

前の層とのずれを計測し、スキャナの補正パラメータに返します。層ごと・装置ごとの癖をモデル化してAPCで自動補正するのが日常業務です。

レジスト・反射防止膜の評価

新しいレジストやBARCを評価し、解像性・LER(ラインエッジラフネス)・感度のバランスを見て採用を判断します。材料メーカーとの共同評価が多い仕事です。

EUV・マルチパターニングの導入

EUVでは確率的欠陥(ストキャスティクス)、液浸ArFのマルチパターニングでは工程間の寸法配分が主な課題です。どちらを使うかの判断にもコストの観点から関わります。

担当する工程・装置

EUV露光装置半導体製造装置 / 前工程装置 / 露光装置DUV露光装置半導体製造装置 / 前工程装置 / 露光装置コータ/デベロッパ半導体製造装置 / 前工程装置 / 露光装置オーバーレイ計測装置半導体製造装置 / 前工程装置 / 計測装置CD-SEM半導体製造装置 / 前工程装置 / 計測装置フォトレジスト半導体製造装置 / 材料EUVレジスト半導体製造装置 / 材料

必要になる知識・用語

EUV(極紫外線)EUV (Extreme Ultraviolet)ArF液浸リソグラフィArF Immersion Lithography液浸露光(ArF液浸リソグラフィ)Immersion Lithography (ArFi)スキャナー(露光)Scanner (Lithography)フォトレジストPhotoresistオーバーレイOverlayレーリーの式(解像度・焦点深度)Rayleigh EquationマルチパターニングMulti-PatterningEUV確率論的効果Stochastic Effects (EUV)ラインエッジラフネス(LER)Line Edge Roughness反射防止膜Bottom Anti-Reflective Coating (BARC)

主な企業

ASMLNLニコン(Nikon)JPキヤノン(Canon)JP東京エレクトロン(TEL)JPJSRJP東京応化工業(TOK)JP信越化学工業JPTSMC(台湾積体電路製造)TWキオクシア(Kioxia)JP

関連する技術比較

EUV露光装置とDUV露光装置の違いHigh-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)シングルパターニングとマルチパターニングの違いポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)

よくある質問

リソグラフィエンジニアとOPCエンジニアの違いは?

リソグラフィエンジニアは露光装置とレジストを使って「実際にウェハ上に焼く」工程に責任を持ちます。OPCエンジニアはその前段で、焼いたときに狙いの形になるようマスクパターンを計算で補正します。前者は装置と材料、後者はシミュレーションが主な道具です。

露光装置メーカーとデバイスメーカーで仕事は違いますか?

デバイスメーカーでは自社製品の量産条件を作り込み、装置メーカーでは装置の性能出しと顧客ファブでの立ち上げ支援が中心になります。後者はアプリケーションエンジニアやFSEに近い働き方です。

光学の知識は必要ですか?

解像限界(レイリーの式)、焦点深度、照明条件といった光学の基礎は必須です。ただし日常業務の多くは計測データの統計処理と条件の最適化なので、データ解析力も同じくらい重要です。

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