II-VI族化合物半導体とは、周期表の2族（12族）の亜鉛（Zn）・カドミウム（Cd）・水銀（Hg）と、16族の硫黄（S）・セレン（Se）・テルル（Te）・酸素（O）を組み合わせた半導体です。硫化亜鉛（ZnS）、セレン化亜鉛（ZnSe）、硫化カドミウム（CdS）、テルル化カドミウム（CdTe）、酸化亜鉛（ZnO）、テルル化水銀カドミウム（HgCdTe）などがあります。
GaAsなどのIII-V族より結合のイオン性が強く、組み合わせによってバンドギャップが約0.1eV（HgTe寄りのHgCdTe）から約3.7eV（ZnS）まで広く変わるのが特徴です。この性質を生かして、CdTeは薄膜太陽電池に、HgCdTeは赤外線センサーに、CdTe・CdZnTeはX線・ガンマ線の検出器に、CdSeやZnSは量子ドットや蛍光体に使われています。
一方で、バンドギャップの大きいII-VI族はp型にするのが難しく（ドーピングしても自ら補償してしまう）、かつて青色発光素子の候補だったZnSeは、寿命の問題もあってGaNに敗れました。カドミウムや水銀は毒性が強いため、使用や廃棄には規制がかかり、量子ドットではInPなどへの置き換えが進んでいます。
