光学系ユニット・UVランプメーカー5

光学系ユニット・UVランプは、装置内で光を作り、整形し、必要な場所へ導くための部品群です。マスクアライナーやUVキュア装置では高圧水銀ランプが365nm(i線)を中心とした紫外光を供給し、検査装置ではレンズ・ミラー・照明光学系が分解能とコントラストを決めます。ランプは点灯時間とともに照度が落ちるため、照度モニタと連動した露光量制御が不可欠です。LED光源への置き換えが進み、瞬時点灯・長寿命・波長選択性という利点から採用が広がっています。

メーカー 5関連カテゴリ 6

主要特徴

装置内で光を作り整形し必要な場所へ導く部品群
高圧水銀ランプはi線を中心とした紫外光源として使われる
ランプの照度低下に対し照度モニタ連動の露光量制御が要る
瞬時点灯・長寿命のUV-LED光源への置き換えが進む

メーカー

5社の主要メーカー

ウシオ電機日本

産業用・半導体製造向け光源装置の日本大手。UV・DUV露光光源、ランプ式露光装置、UV硬化システムを手がける光技術の総合メーカー。

露光光源
超高圧水銀ランプエキシマランプ
UV硬化装置
UV照射システム
  • 半導体露光用水銀ランプ・エキシマランプで国内トップ
  • UV硬化・表面処理向け光源の幅広いラインナップ
会社詳細
ams OSRAMオーストリア

センサー・光半導体・LEDの世界的大手IDM。Austrian Micro Systems(ams)とOSRAMの合併企業。スマートフォン向け近接センサー・環境光センサー・3D深度センサー、自動車向けHD LEDを提供。Apple iPhone採用実績多数。

光センサー
TMD2772(近接センサー)TSL2585(環境光センサー)
LEDモジュール
OSIRE E3731(自動車向け)OSLON Black Flat
3Dセンシング
VCSEL(ToFセンサー光源)
  • iPhone・Android向け光センサーで世界シェアトップ
  • 自動車向けHD LEDヘッドライトで業界をリード
会社詳細
岩崎電気日本

照明器具と光応用装置のメーカー。ランプ開発技術を核に、紫外線硬化・殺菌用のUV光源やエキシマランプ、オゾン発生装置を供給する。

光源ユニット
UVランプエキシマランプ水銀ランプ
光応用装置
紫外線照射装置オゾン発生装置
  • HID・LED・UVを横断するランプ開発力
  • エキシマランプなど短波長光源を自社製造
会社詳細
日本レーザー日本

レーザと光学機器の専門商社。海外メーカーのエキシマレーザや固体レーザ、計測・解析機器を国内の装置メーカーや研究機関へ供給する。

レーザ光源
エキシマレーザ固体・ファイバレーザ
光学機器
光学部品レーザ計測機器
  • 世界のレーザメーカーを横断した品揃え
  • 計測から加工までアプリケーション提案
会社詳細
インターアクション日本

CMOSイメージセンサ検査用光源装置の世界トップメーカー(東証プライム上場)。センサの感度・欠陥検査に使う標準光源とシステムを供給する。

検査用光源
CMOSイメージセンサ検査用光源装置標準光源ユニット
装置ユニット
装置向け光学ユニット環境試験装置
  • CIS検査用光源装置で世界トップシェア
  • 光源からシステムまで自社設計
会社詳細

関連カテゴリ

関連用語

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る