ボンディングワイヤメーカー3社
ボンディングワイヤは、チップのパッドとリードフレーム・基板の端子を電気的に接続する極細の金属線です。直径は15〜30μm程度で、かつては金線が主流でしたが、コスト削減のため銅線やパラジウムコート銅線、電源系では太い銅リボンやアルミ線が広く使われるようになりました。銅は硬く酸化しやすいため、ボンディング時の荷重制御と還元性ガスの吹き付けが必要になり、材料の変更が装置と条件の変更を伴う典型例になっています。線径と材質が許容電流と信頼性を決めます。
主要特徴
スペック比較
複数の製品が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 田中貴金属工業（Tanaka Precious Metals）金ボンディングワイヤ | 田中貴金属工業（Tanaka Precious Metals）パラジウムコート銅ボンディングワイヤ | 田中貴金属工業（Tanaka Precious Metals）銀合金ボンディングワイヤ |
|---|---|---|---|
| 材質 | 高純度金（4N 以上） | 銅芯線＋パラジウムコート | 銀合金（Ag-Pd・Ag-Au 系） |
| 線径の目安 | 15 ～ 50 µm | 15 ～ 50 µm | 18 ～ 50 µm |
| 主要用途 | 車載・産業用・高信頼パッケージ | 民生・メモリ・ロジックパッケージ | LED・パワーデバイス・大電流パッケージ |
| 管理指標 | 破断強度・伸び率・ボール形状の再現性 | — | 硫化耐性・接合信頼性 |
1製品だけが掲載している項目（4件）
| 接合方式 | ボールボンディング（熱圧着＋超音波） | — | — |
|---|---|---|---|
| 狙い | — | 金ワイヤ比での材料コスト低減 | — |
| 必要条件 | — | N₂／N₂-H₂ 雰囲気でのボール形成 | — |
| 特徴 | — | — | 高導電率・良好なボール形成性 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
金ボンディングワイヤ
ワイヤボンディングの標準材料。耐酸化性が高くボール形成が安定するため、高信頼が要る用途では今も金が選ばれる。
| 材質 | 高純度金（4N 以上） |
| 線径の目安 | 15 ～ 50 µm |
| 接合方式 | ボールボンディング（熱圧着＋超音波） |
| 管理指標 | 破断強度・伸び率・ボール形状の再現性 |
| 主要用途 | 車載・産業用・高信頼パッケージ |
パラジウムコート銅ボンディングワイヤ
金の代替としてコストを抑える銅ワイヤ。表面を Pd で覆って酸化を防ぎ、ボール形成とループ安定性を確保している。
| 材質 | 銅芯線＋パラジウムコート |
| 線径の目安 | 15 ～ 50 µm |
| 狙い | 金ワイヤ比での材料コスト低減 |
| 必要条件 | N₂／N₂-H₂ 雰囲気でのボール形成 |
| 主要用途 | 民生・メモリ・ロジックパッケージ |
銀合金ボンディングワイヤ
金と銅の中間に位置する銀合金ワイヤ。導電性が高く、LED やパワー系の大電流用途で使われる。
| 材質 | 銀合金（Ag-Pd・Ag-Au 系） |
| 線径の目安 | 18 ～ 50 µm |
| 特徴 | 高導電率・良好なボール形成性 |
| 管理指標 | 硫化耐性・接合信頼性 |
| 主要用途 | LED・パワーデバイス・大電流パッケージ |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
金・銀・白金族金属（プラチナ・ルテニウム・イリジウム・パラジウム）の精製・加工・リサイクルの日本最大手。半導体向けではボンディングワイヤ（金線・銅線）・スパッタリングターゲット・触媒材料を供給。
- •ボンディングワイヤ（金・銀・銅線）で世界トップクラス
- •白金族金属の精製・リサイクル技術
1987年創業のボンディングワイヤ専業メーカー。半導体パッケージの配線に使うボンディングワイヤとマイクロボールの開発・製造・販売に特化し、パラジウム被覆銅ボンディングワイヤを展開する。本社は入間工場で、寄居にも製造所を持つ。
- •ボンディングワイヤとマイクロボールへの特化
- •パラジウム被覆銅ボンディングワイヤの開発
日本製鉄グループの化学・素材メーカー。マイクロメタル事業で半導体用ボンディングワイヤを製造するほか、封止材の充填に使うシリカ・アルミナ球状微粒子、炭素繊維複合材なども手がける。
- •半導体用ボンディングワイヤ
- •封止材向けの球状シリカ・アルミナ
関連カテゴリ
ALD/CVD前駆体材料（プリカーサー）は、原子層堆積（ALD）および化学気相成長（CVD）プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。
メーカー 3 社アセンブリ用材料アセンブリ用材料は、後工程の組立で使うダイアタッチ材・はんだ・フラックス・アンダーフィル材・リードフレーム材といった材料群の総称です。
メーカー 4 社ボンディング材料ボンディング材料は、後工程の組立工程においてチップ（ダイ）と基板・リードフレーム、またはチップ間の接合に使用される材料群の総称です。
メーカー 6 社バルクガス（N2/O2/Ar）バルクガスは、窒素・酸素・アルゴン・水素・ヘリウムといった、ファブが大量に消費する汎用ガスの総称です。
メーカー 5 社CMPスラリーCMPスラリーは、化学機械研磨（CMP）工程で使用される研磨砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液です。
メーカー 5 社ダイシングテープ・BGテープダイシングテープ・BGテープは、ウェハを保持するための粘着テープです。
メーカー 3 社EUVレジストEUVレジストは、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を用いた露光工程専用の感光性材料です。
メーカー 5 社High-k絶縁膜High-k絶縁膜（高誘電率絶縁膜）は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。
メーカー 4 社リードフレームリードフレームは、チップを載せるダイパッドと外部端子となるリードを一体に形成した金属の枠で、QFP・SOP・QFNなどのパッケージの骨格になります。
メーカー 3 社Low-k絶縁膜Low-k絶縁膜（低誘電率絶縁膜）は、配線層間の信号伝播遅延と消費電力を削減するために使用される配線間絶縁材料です。
メーカー 4 社フォトマスクブランクスフォトマスクブランクスは、フォトマスク（レチクル）製造の基材となる精密ガラス基板です。
メーカー 2 社封止材・コーティング材封止材・コーティング材は、チップとワイヤを樹脂で覆い、機械的衝撃・水分・イオン性汚染から保護する材料です。
メーカー 3 社パッケージ基板（FC-BGA・ABF基板）パッケージ基板は、半導体チップとプリント基板の間に入り、チップの微細な端子ピッチをマザーボード側の粗いピッチへ広げる中継配線板です。
メーカー 4 社ペリクルペリクルは、フォトマスクのパターン面から数mm浮かせて張る薄い透明膜で、異物がパターン面へ直接付着するのを防ぐ防塵カバーです。
メーカー 3 社フォトマスクフォトマスクは、回路パターンを描いた露光用の原版で、露光装置はこのパターンを縮小してウェハ上のレジストに転写します。
メーカー 6 社フォトレジストフォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。
メーカー 6 社プロセス薬液プロセス薬液は、レジストの現像、不要膜の剥離、表面の洗浄といった湿式工程で使われる液体材料のカテゴリです。
メーカー 8 社半導体材料半導体材料は、ウェハ・フォトレジスト・特殊ガス・CMPスラリー・封止樹脂・リードフレーム・ボンディングワイヤなど、半導体製造の各工程で使用される多様な材料群の総称です。
メーカー 10 社はんだ材料（はんだボール・ペースト）はんだ材料は、チップ・パッケージ・基板を電気的かつ機械的に接合するための低融点合金で、半導体ではBGA用のはんだボール、フリップチップ用のマイクロバンプ、実装用のはんだペーストとして使われます。
メーカー 5 社特殊ガス・プロセスガス特殊ガスは、半導体製造の成膜・エッチング・洗浄・ドーピングなどの各工程で使用される高純度ガスの総称です。
メーカー 5 社スパッタリングターゲットスパッタリングターゲットは、スパッタ成膜でイオン衝撃を受けて原子を放出する材料側の板材です。
メーカー 6 社ウェハ基板材料ウェハ基板材料は、デバイスが作り込まれる土台そのもののカテゴリです。
メーカー 8 社