ペリクルメーカー3社
ペリクルは、フォトマスクのパターン面から数mm浮かせて張る薄い透明膜で、異物がパターン面へ直接付着するのを防ぐ防塵カバーです。膜面に粒子が付いても、そこは露光の焦点面から外れているためウェハ上に結像せず、欠陥になりません。EUVでは光を透過させる材料が限られるうえ、高出力の光に耐える必要があるため、多孔質のCNTやシリコン系薄膜による専用ペリクルの開発が続いています。透過率のわずかな低下がスループット低下に直結する点も、EUV特有の難しさです。
主要特徴
スペック比較
このページの製品は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の製品どうしを比較してください。
| 種類 | メーカー | 製品 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| ペリクル | AGC（旭硝子） | EUV ペリクル | — |
| 信越化学工業 | ArF 液浸用ペリクル | — | |
| ペリクル装着サービス | TOPPANホールディングス（Toppan） | フォトマスク用ペリクル装着 | 量産用フォトマスクの出荷前工程 |
ペリクル：2製品の比較
| 項目 | AGC（旭硝子）EUV ペリクル | 信越化学工業ArF 液浸用ペリクル |
|---|---|---|
| 対応露光波長 | 13.5 nm（EUV） | 193 nm（ArF 液浸） |
| 膜材質 | 多結晶シリコン系・カーボン系薄膜 | フッ素系ポリマー膜 |
1製品だけが掲載している項目（6件）
| 膜厚の目安 | 数十 nm | — |
|---|---|---|
| EUV 透過率の目安 | 90% 前後 | — |
| 課題 | 耐熱性・水素プラズマ耐性・膜強度 | — |
| 透過率の目安 | — | 99% 以上 |
| 枠材質 | — | アルミ合金（低発塵処理） |
| 管理指標 | — | 透過率・膜の耐光性・接着剤アウトガス |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
EUV ペリクル
EUV マスク表面をパーティクルから守る薄膜。13.5 nm を透過させつつ、露光時の熱と水素プラズマに耐える必要があるため難度が高い。
| 対応露光波長 | 13.5 nm（EUV） |
| 膜材質 | 多結晶シリコン系・カーボン系薄膜 |
| 膜厚の目安 | 数十 nm |
| EUV 透過率の目安 | 90% 前後 |
| 課題 | 耐熱性・水素プラズマ耐性・膜強度 |
ArF 液浸用ペリクル
透過型マスク用のペリクル。フッ素系ポリマー膜を枠に張り、露光光の透過率を保ちながらマスク面への異物付着を防ぐ。
| 対応露光波長 | 193 nm（ArF 液浸） |
| 膜材質 | フッ素系ポリマー膜 |
| 透過率の目安 | 99% 以上 |
| 枠材質 | アルミ合金（低発塵処理） |
| 管理指標 | 透過率・膜の耐光性・接着剤アウトガス |
フォトマスク用ペリクル装着
フォトマスクの製造とあわせてペリクルを装着して出荷する。マスク面の最終検査から洗浄・ペリクル貼り付けまでを一貫で受ける形が一般的。
| 対応マスク | ArF・KrF・i 線用フォトマスク |
| 対応外形 | 6025 マスク |
| 工程範囲 | 最終検査 → 洗浄 → ペリクル装着 |
| 管理指標 | 装着後のパーティクル数・膜のたわみ |
| 主要用途 | 量産用フォトマスクの出荷前工程 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
世界最大級のガラス・化学素材メーカー。半導体分野ではEUVマスクブランク用超低熱膨張ガラス基板の主要サプライヤーで、フッ化物光学部品・EUV光学素材でも重要な役割を担う。
- •EUVマスクブランク用超低熱膨張ガラス（LTEM）基板の主要サプライヤー
- •フッ化物光学部品（CaF2レンズ）・EUV光学素材の製造技術
シリコンウェハ・フォトレジスト材料・塩化ビニルの世界的大手。半導体向けには300mmウェハとEUVレジスト材料でトップシェア。
- •シリコンウェハ（300mm）で世界シェア約30%
- •ArF/EUV向けフォトレジスト材料で業界首位級
印刷技術から発展した多角化企業で、半導体向けフォトマスク・パッケージ基板・ガラスコア基板を提供。日本・台湾・韓国のファウンドリ向けEUVマスクを供給し、Intelとガラスコア基板の共同開発を進める。
- •EUVフォトマスク量産で大日本印刷と並ぶ国内2強
- •Intelとのガラスコア基板（次世代インターポーザー）共同開発
関連カテゴリ
ALD/CVD前駆体材料（プリカーサー）は、原子層堆積（ALD）および化学気相成長（CVD）プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。
メーカー 3 社アセンブリ用材料アセンブリ用材料は、後工程の組立で使うダイアタッチ材・はんだ・フラックス・アンダーフィル材・リードフレーム材といった材料群の総称です。
メーカー 4 社ボンディング材料ボンディング材料は、後工程の組立工程においてチップ（ダイ）と基板・リードフレーム、またはチップ間の接合に使用される材料群の総称です。
メーカー 6 社ボンディングワイヤボンディングワイヤは、チップのパッドとリードフレーム・基板の端子を電気的に接続する極細の金属線です。
メーカー 3 社バルクガス（N2/O2/Ar）バルクガスは、窒素・酸素・アルゴン・水素・ヘリウムといった、ファブが大量に消費する汎用ガスの総称です。
メーカー 5 社CMPスラリーCMPスラリーは、化学機械研磨（CMP）工程で使用される研磨砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液です。
メーカー 5 社ダイシングテープ・BGテープダイシングテープ・BGテープは、ウェハを保持するための粘着テープです。
メーカー 3 社EUVレジストEUVレジストは、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を用いた露光工程専用の感光性材料です。
メーカー 5 社High-k絶縁膜High-k絶縁膜（高誘電率絶縁膜）は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。
メーカー 4 社リードフレームリードフレームは、チップを載せるダイパッドと外部端子となるリードを一体に形成した金属の枠で、QFP・SOP・QFNなどのパッケージの骨格になります。
メーカー 3 社Low-k絶縁膜Low-k絶縁膜（低誘電率絶縁膜）は、配線層間の信号伝播遅延と消費電力を削減するために使用される配線間絶縁材料です。
メーカー 4 社フォトマスクブランクスフォトマスクブランクスは、フォトマスク（レチクル）製造の基材となる精密ガラス基板です。
メーカー 2 社封止材・コーティング材封止材・コーティング材は、チップとワイヤを樹脂で覆い、機械的衝撃・水分・イオン性汚染から保護する材料です。
メーカー 3 社パッケージ基板（FC-BGA・ABF基板）パッケージ基板は、半導体チップとプリント基板の間に入り、チップの微細な端子ピッチをマザーボード側の粗いピッチへ広げる中継配線板です。
メーカー 4 社フォトマスクフォトマスクは、回路パターンを描いた露光用の原版で、露光装置はこのパターンを縮小してウェハ上のレジストに転写します。
メーカー 6 社フォトレジストフォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。
メーカー 6 社プロセス薬液プロセス薬液は、レジストの現像、不要膜の剥離、表面の洗浄といった湿式工程で使われる液体材料のカテゴリです。
メーカー 8 社半導体材料半導体材料は、ウェハ・フォトレジスト・特殊ガス・CMPスラリー・封止樹脂・リードフレーム・ボンディングワイヤなど、半導体製造の各工程で使用される多様な材料群の総称です。
メーカー 10 社はんだ材料（はんだボール・ペースト）はんだ材料は、チップ・パッケージ・基板を電気的かつ機械的に接合するための低融点合金で、半導体ではBGA用のはんだボール、フリップチップ用のマイクロバンプ、実装用のはんだペーストとして使われます。
メーカー 5 社特殊ガス・プロセスガス特殊ガスは、半導体製造の成膜・エッチング・洗浄・ドーピングなどの各工程で使用される高純度ガスの総称です。
メーカー 5 社スパッタリングターゲットスパッタリングターゲットは、スパッタ成膜でイオン衝撃を受けて原子を放出する材料側の板材です。
メーカー 6 社ウェハ基板材料ウェハ基板材料は、デバイスが作り込まれる土台そのもののカテゴリです。
メーカー 8 社