CS（スパッタリング装置）

研究開発から小規模生産まで使うシングルチャンバー式のスパッタリング装置。複数カソードで積層成膜できる。

CSとは

CS は、アルバックのシングルチャンバー式のスパッタリング装置です。研究開発から小規模生産まで対応し、従来のプロセスデータとノウハウを生かして、使いやすさを重視したデザインに一新しました。

複数のカソードによる積層スパッタリングに対応し、レシピ制御で多層膜を自動で成膜できます。データロギングもできます。

基板の搬送能力は最大 Φ300mm で、成膜性能は Φ190mm まで保証しています。ロードロック室のカセットに最大 5 枚のトレイを収納でき、マニピュレーターで自動搬送します。電子部品の研究開発や小規模生産に使われます。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsEndura PVD	ULVAC（アルバック）ENTRON-EXX	ULVAC（アルバック）ENTRON-EX W300	ULVAC（アルバック）CS（スパッタリング装置）	ULVAC（アルバック）SRH（スパッタリング装置）	ULVAC（アルバック）SME（スパッタリング装置）
構成	クラスター型 PVD プラットフォーム	マルチチャンバ型（Single／Tandem の2プラットフォーム）	マルチチャンバ型スパッタリング装置	—	—	SME-200E（最大 3 室）・200J（最大 5 室）・200（最大 7 室）
主要用途	配線メタライゼーション・MEMS・CIS・TSV	先端デバイス向け金属膜・バリア膜の成膜	ロジック・メモリ・パッケージング向け成膜	—	—	—
搭載モジュール	—	PVD・Pre-Clean・Heating・Cooling（最大 12 モジュール）	PVD・Pre-Clean・Heating・Cooling	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（12件）

位置づけ	PVDメタライゼーションの業界標準	—	—	—	—	—
対応材料	AlN・ITO・Al₂O₃・Ge ほか	—	—	—	—	—
対応デバイス	—	ロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリ・パッケージング	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	300 mm	—	—	—
方式	—	—	—	シングルチャンバー・複数カソード	—	—
基板	—	—	—	搬送最大 Φ300mm（成膜性能は Φ190mm まで保証）	—	—
ロードロック	—	—	—	最大 5 枚のトレイを収納	—	—
対応ウェハ	—	—	—	—	Φ125〜200mm（厚さ 50µm まで自動搬送）	—
材料	—	—	—	—	Al・AlSi・Ti・Ni・Au or Ag の 5 種類	—
前処理	—	—	—	—	ISM 方式スパッタエッチング	—
基板サイズ	—	—	—	—	—	〜Φ200 mm
機能	—	—	—	—	—	基板加熱・同時成膜・回転成膜