スパッタリング装置メーカー4

スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。化学反応を伴わないため、金属や合金の組成をターゲットのままウェハへ移せる点が最大の特徴で、配線用のAl・Cu、バリアメタルのTi/TiN・Ta/TaN、電極材料の成膜に使われます。マグネトロン方式で成膜速度を上げ、指向性を高めたロングスロー方式やイオン化スパッタで深いビアの底まで膜を付けます。ターゲットの利用効率とパーティクル発生の抑制が運用上の課題です。

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主要特徴

アルゴンイオンでターゲットを叩き弾き出た原子を堆積させる
合金組成をそのままウェハへ移せるのが化学的手法との違い
Al/Cu配線・Ti/TaNバリアメタル・電極材料の成膜に使う
深いビアにはロングスローやイオン化スパッタで指向性を高める

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsEndura PVDULVAC(アルバック)ENTRON-EXXULVAC(アルバック)ENTRON-EX W300
構成クラスター型 PVD プラットフォームマルチチャンバ型(ロードロック式)マルチチャンバ型スパッタリング装置
主要用途配線メタライゼーション・MEMS・CIS・TSV先端デバイス向け金属膜・バリア膜の成膜ロジック・メモリ・パッケージング向け成膜
搭載モジュールPVD・CVD・ALD・Pre-Clean・Heating・CoolingPVD・Pre-Clean・Heating・Cooling
1機種だけが掲載している項目(4件)
位置づけPVDメタライゼーションの業界標準
対応材料AlN・ITO・Al₂O₃・Ge ほか
対応デバイスロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリ・パッケージング
対応ウェハ径300 mm

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真
Applied Materials

Endura PVD

PVDメタライゼーションの業界標準として使われてきたクラスター型プラットフォーム。配線用の金属膜に加え、MEMSやパッケージング向けの材料にも展開されている。

構成クラスター型 PVD プラットフォーム
位置づけPVDメタライゼーションの業界標準
対応材料AlN・ITO・Al₂O₃・Ge ほか
主要用途配線メタライゼーション・MEMS・CIS・TSV
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ULVAC(アルバック)

ENTRON-EXX

アルバックのマルチチャンバ型成膜装置。PVDだけでなくCVD・ALDなどのモジュールを組み合わせ、用途に応じた構成を取れる。

構成マルチチャンバ型(ロードロック式)
搭載モジュールPVD・CVD・ALD・Pre-Clean・Heating・Cooling
対応デバイスロジック・DRAM・NAND・次世代不揮発メモリ・パッケージング
主要用途先端デバイス向け金属膜・バリア膜の成膜
製品写真
ULVAC(アルバック)

ENTRON-EX W300

300mmウェーハ対応のマルチチャンバ型スパッタリング装置。前処理から加熱・冷却までを同一プラットフォーム内で処理する。

対応ウェハ径300 mm
構成マルチチャンバ型スパッタリング装置
搭載モジュールPVD・Pre-Clean・Heating・Cooling
主要用途ロジック・メモリ・パッケージング向け成膜

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

4社の主要メーカー

Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
会社詳細
ULVAC(アルバック)日本

真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。

PVD装置
スパッタリングシステム蒸着装置
CVD装置
プラズマCVD熱CVD
真空ポンプ
ターボ分子ポンプドライポンプ
  • 真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
  • スパッタリング装置で国内トップクラス
会社詳細
Veeco Instruments米国

MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。

MOCVD装置
EPIKTurboDisc
MBE装置
GENxcelシリーズ
ALD装置
FijiFiji G2
  • MOCVD装置でグローバルトップシェア
  • MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
会社詳細
Intevac米国

ディスク・太陽電池向けPVD(物理気相堆積)装置の専業メーカー。高スループット・インライン式PVD装置で記録媒体(HDD)とソーラーパネル製造を支援。

PVD装置
VERTEX(ディスク用インラインPVD)200 Lean(太陽電池用)
  • HDDディスク向け高スループットインラインPVDで世界トップシェア
  • 太陽電池(CIGS・HIT)向け蒸着装置でも実績
会社詳細

関連カテゴリ

ALD装置

ALD装置(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。

メーカー 6
CVD装置

CVD装置(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。

メーカー 11
めっき装置(電解銅めっき)

めっき装置(電解銅めっき/ECD)は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。

メーカー 3
エピタキシャル成長装置

エピタキシャル成長装置(Epitaxy)は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層(エピタキシャル層)を成長させる特殊な成膜装置です。

メーカー 4
LPCVD(低圧CVD)

LPCVD装置(減圧CVD)は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。

メーカー 7
MBE装置(分子線エピタキシー)

MBE装置(分子線エピタキシー)は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。

メーカー 4
MOCVD装置

MOCVD装置(有機金属気相成長)は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。

メーカー 5
PECVD(プラズマCVD)

PECVD装置(プラズマCVD)は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。

メーカー 8
PVD装置

PVD装置(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。

メーカー 5
真空蒸着装置

真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。

メーカー 5

関連用語

比較・違いを学ぶ

CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi
PECVDとLPCVDの違い(プラズマCVD vs 熱CVD)
PECVDとLPCVDはどちらもCVD(化学気相成長)の一方式ですが、活性化エネルギーの源泉が根本的に異なります。PECVD(Plasma Enhanced C
ALDとPVDの違い(原子層成膜 vs スパッタ成膜)
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)とPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、どちらも半導
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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