CME-200E（PE-CVD）

シリコン系の絶縁膜・バリア膜を量産する ULVAC のトレイ搬送式 PE-CVD。27.12MHz の高密度プラズマを使う。

CME-200Eとは

CME-200E は、ULVAC（アルバック）の量産用 PE-CVD（プラズマ CVD）装置 CME シリーズの 200mm 角基板対応機です。シリコン系の絶縁膜やバリア膜を量産するための装置で、トレイ搬送方式によりさまざまな基板を扱え、コストパフォーマンスに優れます。

27.12MHz の高密度プラズマプロセスに対応し、SiH₄ 系の SiO₂、SiNx、SiON、a-Si と、TEOS 系の SiO₂ を成膜できます。チャンバーは NF₃＋Ar プラズマでクリーニングできます。

シリーズには 300×400mm 角の CME-400E、500mm 角の CME-500E もあります。用途はパワーデバイス、LED・LD・高速デバイス、有機 EL、太陽電池、MEMS など、化合物半導体や電子デバイスの量産ラインです。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）	ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD）
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）	PECVD（クアッドステーションモジュール）	ラージバッチ縦型炉	PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送）
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク	W（タングステン）	ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜	コンタクトプラグ・ビアフィル	層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜	—	パワーデバイス・LED・LD・MEMS
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	—	300 mm	—
シリーズ構成	—	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi	VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）