Producer® Eterna® FCVD™

液体のように流れ込む絶縁膜で、アスペクト比 30:1 までのすき間をボイドなく埋める流動性 CVD（FCVD）。

Producer Eterna FCVDとは

Producer Eterna FCVD は、Applied Materials の流動性 CVD（Flowable CVD）装置です。トランジスタが小さくなるほど素子の間のすき間も狭くなり、不規則な形のすき間を高品質な絶縁膜で埋めて素子を分離するのが難しくなっています。

Eterna は 20nm 以下の設計に向けて、こうした重要なすき間を完全に、ボイドなく埋める唯一の技術とされています。アスペクト比 30:1 までの極端なすき間や、非常に不規則で複雑な形のすき間も埋められます。

液体のような状態で高品質な絶縁膜を成膜し、すき間の底から流れ込むように埋めていきます。

主な特長

•流動性の絶縁膜で埋め込み
•アスペクト比 30:1 まで
•不規則な形のすき間に対応

主な仕様

方式	流動性 CVD（Flowable CVD）
埋め込み性能	アスペクト比 30:1 まで
対象世代	20nm 以下

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD	Applied MaterialsProducer® XP Precision® Pioneer® CVD	Applied MaterialsCentura® DXZ CVD	Applied MaterialsCentura® Ultima HDP CVD®	Applied MaterialsCentura™ iSprint™ SSW ALD/CVD	Applied MaterialsEndura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD	Applied MaterialsEndura® Volta® Cobalt CVD	Applied MaterialsEndura® Volta® Selective W CVD	Applied MaterialsEndura® Volta® W CVD	Applied MaterialsProducer® CVD	Applied MaterialsProducer® Eterna® FCVD™	Applied MaterialsProducer® HARP®	Applied MaterialsProducer® XP Precision® Draco™ CVD	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ EX-II™ TiN	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ Ti/TiN	東京エレクトロン（TEL）Episode™ 1	東京エレクトロン（TEL）Episode™ 2 DMR	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	Lam ResearchALTUS®（W／Mo の CVD・ALD）	Lam ResearchSPEED®（HDP-CVD）	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）	ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD）
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）	CVD（高密度カーボンハードマスク）	—	高密度プラズマ CVD	ALD／CVD（シーム抑制タングステン）	CVD ルテニウム（CuBS 統合材料ソリューション）	CVD コバルト（ライナー＋選択キャップ）	表面処理＋選択タングステン CVD	CVD（W-カーボン膜＋バルク W）	—	流動性 CVD（Flowable CVD）	熱 CVD（オゾン／TEOS・非プラズマ）	CVD（ハードマスク）	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）	枚葉 ASFD（Advanced Sequential Flow Deposition）	枚葉 CVD（SFD TiN・HP Ti もラインアップ）	枚葉成膜プラットフォーム	2 枚同時搬送・同時成膜（DMR：Duo Matched Reactor）	PECVD（クアッドステーションモジュール）	CVD／ALD（クアッドステーションモジュール）	高密度プラズマ CVD（成膜＋その場エッチング）	ラージバッチ縦型炉	PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送）
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜	—	—	STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション	ロジック・メモリのコンタクト埋め込み	—	—	—	ロジックのコンタクト・MOL・メタルゲート埋め込み	—	—	STI・PMD の埋め込み	DRAM のストレージキャパシタ形成	コンタクトプラグ・ビアフィル	コンタクトバリア・キャパシタ電極・ワードラインバリア・メタルゲート	コンタクト工程	先端ロジックのコンタクト（プリクリーン・CVD Ti）	キャパシタ電極・ワードライン TiN・バリアメタル	層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜	—	STI・PMD・ILD・IMD・パッシベーション	—	パワーデバイス・LED・LD・MEMS
対応ウェハ径	300 mm	—	150／200 mm（SiC ウェーハにも対応）	200／300 mm	—	—	—	—	—	150／200／300 mm（SiC ウェーハにも対応）	—	—	—	300 mm	—	—	—	—	—	—	—	300 mm	—
特徴	—	先端のエッチング化学に強く側壁の均一性が高い	—	—	開口部の成長を抑える処理で底から W を成長	—	—	—	—	—	—	ひずみ誘起膜で駆動電流・保持時間を改善	—	—	—	—	—	—	—	多温度の逐次成膜・熱／プラズマ Mo ALD・ACE 統合クリーン	—	最大 1.25 倍のロット処理（同社比）・深溝への均一成膜	—
膜種	—	—	TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜・Low-k など	—	—	—	—	—	—	TEOS・シラン系酸化膜・窒化膜など	—	—	—	—	TiN（Plus HT・TiON もラインアップ）	Ti・TiN	—	—	—	タングステン・モリブデン	—	—	—
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	W（タングステン）	—	—	—	—	ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜	—	—	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂
効果	—	—	—	—	—	—	EM 性能を 1 桁改善・選択比 100:1 超	ライナー／核生成層を省きコンタクト抵抗を低減	ライナー抵抗率を TiN 比 70% 以上低減	—	—	—	選択比を従来の DRAM キャパシタ用比 30% 以上向上	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Twin Chamber（同時に最大 6 枚）	—	—	—	—	—	—	最大 8 プロセスモジュール（OPTCURE・ORTAS）	1〜4 チャンバー	—	—	—	—	—
対象世代	—	—	—	—	—	3nm 以降	—	—	—	—	20nm 以下	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi	—	—	—	—	VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（9件）

組み合わせ	—	Sculpta・Sym3 Y Magnum と共同最適化	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
スループット	—	—	PE TEOS・プラズマシランで最大 80 wph	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ライナー	—	—	—	—	—	RuCo 2 元系・20Å 未満	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
膜厚	—	—	—	—	—	—	20Å 未満	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
対象	—	—	—	—	—	—	—	MOL（ミドルオブライン）コンタクト	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
埋め込み性能	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	アスペクト比 30:1 まで	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	SPEED NExT・SPEED Max	—	—
処理	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	CVD 膜・酸化膜形成、酸化・拡散・アニール	—
対応基板	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	200 mm 角（CME-400E は 300×400 mm、CME-500E は 500 mm 角）