アニール炉メーカー5社
アニール炉は、成膜やイオン注入の後にウェハを加熱し、結晶欠陥の回復・不純物の活性化・膜の緻密化・応力緩和を進める熱処理装置です。縦型バッチ炉で数時間かけてゆっくり処理する方式は、水素アニールによる界面準位の低減や、銅配線のグレイン成長のように時間をかけた方が良い処理に向きます。秒単位のRTPやミリ秒のレーザーアニールと対比すると、当カテゴリは低温・長時間側を受け持ち、熱予算と処理目的に応じて使い分けられます。雰囲気ガスの純度が処理結果を大きく左右します。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II | ASMインターナショナルSONORA® | 光洋サーモシステムVF-1000H |
|---|---|---|---|
| 方式 | ラージバッチ縦型炉 | バッチ縦型炉（デュアルボート） | R&D 用ミニバッチ縦型炉（25 枚） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | ～150 mm |
| 処理 | 酸化・拡散・アニール（成膜にも対応） | ドーパント拡散・活性化・アニール・酸化（常圧）／LPCVD（減圧） | 高温酸化・酸窒化（MoSi₂ 700〜1,400°C／カーボン 700〜1,850°C） |
| 主要用途 | 量産ラインの熱処理 | ロジック・メモリ・アナログ／パワー | SiC パワーデバイス |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 方式 | ラージバッチ縦型炉 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 処理 | 酸化・拡散・アニール（成膜にも対応） |
| 主要用途 | 量産ラインの熱処理 |
| 方式 | バッチ縦型炉（デュアルボート） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 処理 | ドーパント拡散・活性化・アニール・酸化（常圧）／LPCVD（減圧） |
| 主要用途 | ロジック・メモリ・アナログ／パワー |
| 方式 | R&D 用ミニバッチ縦型炉（25 枚） |
| 対応ウェハ径 | ～150 mm |
| 処理 | 高温酸化・酸窒化（MoSi₂ 700〜1,400°C／カーボン 700〜1,850°C） |
| 主要用途 | SiC パワーデバイス |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
- •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
- •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
- •ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
- •SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。
- •縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
- •ランプ加熱による急速熱処理（RTP）に対応
住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置（DRIE）とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。
- •シリコン深掘りエッチング（DRIE）の専業メーカー
- •MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
MEMS・パワー・TSV向けの深掘り反応性イオンエッチング（DRIE）装置やマイクロ加工技術で知られる。航空・熱制御事業も併せ持つ精密機器メーカー。
- •深掘りエッチング（DRIE）で高アスペクト比加工に強み
- •MEMS・TSV・パワーデバイス向けプロセス
関連カテゴリ
拡散炉（Diffusion Furnace）は、複数のウェハ（数十〜百枚以上）を石英管内に並べ、高温（600〜1200°C）の雰囲気ガス中で同時に熱処理するバッチ式熱処理装置です。
メーカー 5 社レーザーアニール装置レーザーアニール装置は、ウェハ表面にレーザー光（UVエキシマレーザーまたはグリーンレーザー）を照射し、ミリ秒以下の超短時間で局所的に高温処理を行う熱処理装置です。
メーカー 3 社酸化炉酸化炉は、シリコンウェハを高温（800〜1100°C）の水蒸気または乾燥酸素雰囲気に置き、シリコン表面を熱酸化してSiO₂（シリコン酸化膜）を形成する熱処理装置です。
メーカー 4 社RTP（急速熱処理）装置RTP（Rapid Thermal Processing：急速熱処理）装置は、ハロゲンランプやフラッシュランプを用いて半導体ウェハを数秒〜数十秒で高温（400〜1200°C）に急速加熱・急速冷却する枚葉式熱処理装置です。
メーカー 4 社