マスクアライナーメーカー3

マスクアライナーは、マスクとウェハを直接向かい合わせ、等倍でパターンを一括転写する露光装置です。縮小投影を行うステッパーと違い光学系が単純で装置価格が低く、数μm程度の解像度で足りるMEMS・パワー半導体・化合物半導体・アドバンストパッケージングの分野で現役です。マスクとウェハを密着させるコンタクト方式、わずかに離すプロキシミティ方式、レンズを介するプロジェクション方式があり、解像度とマスク寿命のトレードオフで使い分けられます。厚膜レジストや反りのある基板にも対応しやすい点が実務上の利点です。

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主要特徴

マスクとウェハを直接向かい合わせ等倍で一括転写する
コンタクト・プロキシミティ・プロジェクションの3方式がある
MEMS・パワー半導体・パッケージング分野で現役
厚膜レジストや反りのある基板にも対応しやすい

メーカー

3社の主要メーカー

ウシオ電機日本

産業用・半導体製造向け光源装置の日本大手。UV・DUV露光光源、ランプ式露光装置、UV硬化システムを手がける光技術の総合メーカー。

露光光源
超高圧水銀ランプエキシマランプ
UV硬化装置
UV照射システム
  • 半導体露光用水銀ランプ・エキシマランプで国内トップ
  • UV硬化・表面処理向け光源の幅広いラインナップ
会社詳細
Suss MicroTecドイツ

ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。

ウェーハレベルパッケージング装置
ボンディング装置コーティング装置
リソグラフィ装置
マスクアライナー
  • ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
  • マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
会社詳細
EV Groupオーストリア

オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。

ウェーハボンディング装置
ウェーハレベルボンディングシステムハイブリッドボンディング装置
リソグラフィ装置
マスクアライナーインプリント装置
  • ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
  • 2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
会社詳細

関連カテゴリ

ベーク・UVキュア装置

ベーク・UVキュア装置は、塗布した膜を加熱または紫外線照射によって硬化・安定化させる装置です。

メーカー 5
コータ/デベロッパ

コーター/デベロッパ(Coater/Developer)は、フォトリソグラフィ工程でレジスト塗布(コーティング)と露光後の現像(デベロップ)を行う一体型装置です。

メーカー 7
DUV露光装置

DUV露光装置(Deep Ultraviolet Lithography)は、ArFエキシマレーザー(193nm)またはKrFエキシマレーザー(248nm)を光源とした露光装置です。

メーカー 5
電子ビーム直接描画装置

電子ビーム直接描画装置は、マスクを使わず電子ビームでウェハへ直接パターンを描く露光装置です。

メーカー 4
EUV露光装置

EUV露光装置(Extreme Ultraviolet Lithography)は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。

メーカー 2
i線ステッパー

i線ステッパー(i-line Stepper)は、水銀ランプのi線(波長365nm)を光源とする露光装置で、0.18μm以上の成熟ノードの半導体製造に現在も広く使用されています。

メーカー 3
レーザー直接描画装置

レーザー直接描画装置(LDI/マスクレス露光装置)は、マスクを介さずレーザー光を走査してパターンを描く露光装置です。

メーカー 3
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)

ナノインプリントリソグラフィ(NIL:Nanoimprint Lithography)は、マスク(テンプレート)のナノ構造パターンを紫外線硬化樹脂などの材料に直接押し付けてパターンを転写するリソグラフィ技術です。

メーカー 3

関連用語

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
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シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
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