レーザー直接描画装置メーカー3社
レーザー直接描画装置（LDI／マスクレス露光装置）は、マスクを介さずレーザー光を走査してパターンを描く露光装置です。DMDなどの空間光変調器で光を変調し、設計データからそのまま露光できるため、マスクの製作費と納期が不要になります。解像度は電子ビーム描画に劣りますがスループットは高く、パッケージ基板・プリント基板・MEMS・パワー半導体といった線幅数μm級の用途で使われます。基板の反りや伸縮に合わせて描画データを補正できる点も、実装基板分野で選ばれる理由です。
主要特徴
メーカー
3社の主要メーカー
プリント基板・半導体パッケージ向けUV露光装置・マスクアライナーの専業メーカー。成熟ノード向けi線・UV露光システムを提供し、パッケージ基板・フレキシブル基板の微細化に対応。
- •パッケージ基板向けUV露光装置で国内最大手
- •マスクアライナー・プロジェクション露光の豊富な実績
1984年創業のドイツのマスクレス露光装置メーカー。マスクレスアライナー、レーザー描画装置、マスクレスステッパー、フォトマスク描画装置、熱走査プローブ方式のナノリソグラフィ装置を提供する。
- •マスクレスレーザーリソグラフィの専業
- •研究用から産業用までのマスクレスアライナー
露光装置メーカー。実験・研究用露光装置、LED・LD・パッケージング向けの化合物半導体用マスクアライナ、200/300mm 対応露光装置、マスクレス露光装置 MX シリーズ、MEMS 用・フィルム用・FPD 用露光装置を手がける。
- •マスクアライナとマスクレス露光の両方を自社開発
- •研究・小ロットから 300mm までの対応
関連カテゴリ
ベーク・UVキュア装置は、塗布した膜を加熱または紫外線照射によって硬化・安定化させる装置です。
メーカー 5 社コータ／デベロッパコーター/デベロッパ（Coater/Developer）は、フォトリソグラフィ工程でレジスト塗布（コーティング）と露光後の現像（デベロップ）を行う一体型装置です。
メーカー 7 社DUV露光装置DUV露光装置（Deep Ultraviolet Lithography）は、ArFエキシマレーザー（193nm）またはKrFエキシマレーザー（248nm）を光源とした露光装置です。
メーカー 5 社電子ビーム直接描画装置電子ビーム直接描画装置は、マスクを使わず電子ビームでウェハへ直接パターンを描く露光装置です。
メーカー 4 社EUV露光装置EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。
メーカー 2 社i線ステッパーi線ステッパー（i-line Stepper）は、水銀ランプのi線（波長365nm）を光源とする露光装置で、0.18μm以上の成熟ノードの半導体製造に現在も広く使用されています。
メーカー 3 社マスクアライナーマスクアライナーは、マスクとウェハを直接向かい合わせ、等倍でパターンを一括転写する露光装置です。
メーカー 3 社ナノインプリントリソグラフィ（NIL）ナノインプリントリソグラフィ（NIL：Nanoimprint Lithography）は、マスク（テンプレート）のナノ構造パターンを紫外線硬化樹脂などの材料に直接押し付けてパターンを転写するリソグラフィ技術です。
メーカー 3 社