マクロ検査装置メーカー2

マクロ検査装置は、ウェハ全面を低倍率で一括撮像し、レジストのコート不良・現像ムラ・スクラッチ・チッピング・ウェハエッジの異常など、比較的大きな外観不良を高速に検出する装置です。数十nmの微小欠陥を対象とするミクロ検査に対し、マクロ検査は工程異常をロット単位で早期に発見する役割を担います。リソグラフィ工程の直後に組み込まれることが多く、装置トラブルの即時検知と手戻りの削減に貢献します。

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主要特徴

ウェハ全面を低倍率で一括撮像し大きな外観不良を高速検出する
コート不良・現像ムラ・スクラッチ・エッジ欠けが主な対象
微小欠陥を見るミクロ検査とは役割が異なり工程異常を早期発見
リソグラフィ直後に置き装置トラブルの即時検知に使う

メーカー

2社の主要メーカー

KLA米国

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

検査装置
ウェーハ検査システムマスク検査装置
計測装置
CD計測膜厚計測オーバーレイ計測
データ分析
aiSIGHTKlarity
  • 検査・計測装置における世界的リーダー
  • AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
会社詳細
Onto Innovation米国

Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。

ウェハ検査装置
Dragonfly G3
膜厚・オーバーレイ計測
Atlas VFirefly
  • 光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
  • 先端パッケージング(FO-WLP・HBM)向け計測ソリューション
会社詳細

関連カテゴリ

結晶欠陥検査装置

結晶欠陥検査装置は、シリコンやSiCの基板・エピ層に含まれるCOP・転位・積層欠陥・BPD(基底面転位)といった結晶起因の欠陥を検出する装置です。

メーカー 3
欠陥検査装置

欠陥検査装置(Defect Inspection)は、ウェハ表面や内部に存在するパターン欠陥・パーティクル・スクラッチなどを光学または電子線で自動検出するシステムです。

メーカー 2
電子線(EB)検査装置

電子線(EB)検査装置は、電子ビームを用いてウェーハ上のパターン欠陥・電気的欠陥を高分解能で検出する装置です。

メーカー 4
マスク検査装置

マスク検査装置(Mask Inspection)は、フォトリソグラフィで使用するフォトマスク・レチクルの欠陥・汚染を検出するシステムです。

メーカー 4
光学式ウェーハ検査装置

光学式ウェーハ検査装置は、レーザーや白色光を用いてウェーハ表面の異物・スクラッチ・結晶欠陥などを高速で検出する装置です。

メーカー 7
異物・パーティクル検査装置

異物・パーティクル検査装置は、ウェハ表面に付着した微粒子や傷をレーザー散乱光で検出し、サイズと座標をマップとして出力する装置です。

メーカー 3
レビューSEM

レビューSEMは、欠陥検査装置が出力した欠陥座標へ自動で移動し、個々の欠陥を高分解能のSEM像で分類する装置です。

メーカー 3
膜厚計測装置

膜厚計測装置(Thickness Metrology)は、ウェハ上に形成された薄膜の厚さや光学特性を非破壊で精密測定するシステムです。

メーカー 5
ウェハ検査装置

ウェハ検査装置(Wafer Inspection)は、ウェハ表面のパーティクル・欠陥・パターン異常を自動検出するシステムです。

メーカー 5

関連用語

比較・違いを学ぶ

電子ビーム検査と光学検査の違い(欠陥検査方式の比較)
電子ビーム検査(E-beam Inspection)は電子ビームでウェハを走査し二次電子・反射電子像から欠陥を検出する方式で、数nm級の微小欠陥や配線のオープン
SEMとTEMの違い
SEMとTEMはどちらも電子線を使う顕微鏡で、光学顕微鏡では見えないナノメートル領域を観察するために使われます。名前は似ていますが、電子と試料の関わり方が根本的
四探針法とホール効果測定の違い
どちらも半導体の電気特性を測る基本手法ですが、得られる情報の量が違います。四探針法は抵抗率という1つの値を素早く測れる一方、その値の内訳までは教えてくれません。
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