用語化合物高周波デバイス(GaAs・GaN)RF半導体製造装置(GaN/GaAs)最終更新 2026-10-09Excel・PDF版

MMIC(モノリシックマイクロ波集積回路)とは

Monolithic Microwave Integrated Circuit

MMIC(モノリシックマイクロ波集積回路)とは、マイクロ波やミリ波の回路を、トランジスタから抵抗・コンデンサ・線路までまとめて1つのチップに作り込んだ集積回路です。GaAsはスマートフォンのPA、GaNは基地局やレーダーの大電力増幅、SiGeやCMOSはミリ波レーダーに使われます。5Gやレーダー、衛星通信の中心部品です。

目次6項目
  1. 定義・解説
  2. 図解
  3. よくある質問
  4. 設備の製造メーカー
  5. 関連用語
  6. 比較・違いを学ぶ

定義・解説

MMIC(エムミック、Monolithic Microwave Integrated Circuit)とは、マイクロ波やミリ波の高い周波数の信号を扱う回路を、トランジスタだけでなく、抵抗・コンデンサ・コイル・信号を通す線路までまとめて1つのチップの上に作り込んだ集積回路です。かつては、個別のトランジスタと部品を基板の上で組み合わせて高周波の回路を作っていましたが、MMICにすることで小型化と特性のばらつきの低減が進みました。

MMICの材料には、高い周波数でよく動く化合物半導体が多く使われます。GaAsのHEMTやHBTはスマートフォンの電力増幅器(PA)やスイッチに、GaN(多くはSiC基板の上)のHEMTは基地局やレーダーの大電力の増幅器に、InPはさらに高い周波数の回路に使われます。シリコン系でも、SiGeのBiCMOSやCMOSで、ミリ波のレーダーや通信のMMICが作られています。

代表的な回路は、送信の信号を強くする電力増幅器(PA)、受信した弱い信号を雑音を抑えて増やす低雑音増幅器(LNA)、周波数を変換するミキサ、スイッチや位相器などです。5Gのミリ波通信、自動車のミリ波レーダー、衛星通信、気象・防衛のレーダーなど、高い周波数を使う機器の中心部品になっています。

図解

MMICの材料(GaN・GaAs・InP・SiGe/CMOS)と主な用途
用途の分け方は代表的な傾向で、製品によって異なる。

よくある質問(FAQ)

MMICにすると何が良いのですか?
個別の部品を基板の上で組み合わせるより、回路をはるかに小さくでき、部品をつなぐ配線による特性の乱れやばらつきも減らせます。量産したときの特性がそろいやすく、組み立ての手間も減るため、スマートフォンやレーダーなど大量に作る機器に向いています。
MMICの材料はどう使い分けますか?
大きな電力を出す基地局やレーダーの増幅器には、高い電圧に耐えるGaN、スマートフォンの電力増幅器やスイッチには実績のあるGaAs、さらに高い周波数にはInPが使われます。ミリ波のレーダーなど、デジタル回路と一緒に安く大量に作りたい用途では、SiGeやCMOSが使われます。

設備の製造メーカー

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