CMP後洗浄装置メーカー4社
CMP後洗浄装置は、研磨直後のウェハに残るスラリー粒子・研磨屑・金属イオンを除去する専用の洗浄装置です。CMPはスラリーを撒きながら削る工程であるため、直後のウェハ表面は工程中で最も汚れた状態にあり、ここで残った粒子は次工程で欠陥として顕在化します。PVAブラシによるスクラブ洗浄、メガソニック、専用の洗浄薬液を組み合わせ、銅配線の腐食を防ぐ防食剤を使いながら短時間で仕上げます。CMP装置に一体化されたインライン構成が一般的です。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
洗浄薬液・ブラシ：2機種の比較
| 項目 | EntegrisPlanarClean® AG | EntegrisPlanarcore® PVA ブラシ |
|---|---|---|
| 種類 | CMP 後洗浄液（水系配合液） | PVA ブラシ |
| 対応材料 | Cu 配線（先端 Cu プロセス） | CMP 後ウェーハ全般 |
| 主要用途 | バリア CMP 後の洗浄と腐食防止 | CMP 後のブラシ洗浄 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 種類 | CMP 後洗浄液（水系配合液） |
| 対応材料 | Cu 配線（先端 Cu プロセス） |
| 主要用途 | バリア CMP 後の洗浄と腐食防止 |
| 種類 | PVA ブラシ |
| 対応材料 | CMP 後ウェーハ全般 |
| 主要用途 | CMP 後のブラシ洗浄 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
半導体洗浄装置の世界的リーダー。表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術で、ナノレベルの高精度加工を実現。
- •洗浄装置で世界トップシェア
- •表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術
CMP（化学機械研磨）装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
半導体材料インテグリティ管理の専業企業。ウェハキャリア（FOUP）・CMPスラリー・超純水フィルタ・ガス精製器など汚染制御製品でNo.1クラスのシェア。
- •半導体用CMPスラリー・研磨材料のグローバルトップ（CMC Materials統合後）
- •超純水・薬液フィルタで世界最高水準の汚染管理
関連カテゴリ
金属CMP装置とは、銅（Cu）・タングステン（W）・コバルト（Co）などの金属配線材料を選択的に研磨・平坦化するCMP装置です。
メーカー 4 社酸化膜CMP装置酸化膜CMP装置とは、SiO₂（二酸化ケイ素）やSiN（窒化ケイ素）などの絶縁膜をシリカ系スラリーと研磨パッドで選択的に研磨・平坦化する前工程装置です。
メーカー 4 社パッドコンディショナーパッドコンディショナー（研磨パッド再生装置）とは、CMP研磨パッドの表面を常時再生（コンディショニング）してグレージング（目詰まり）を防ぎ、安定した研磨速度を維持する装置・部品です。
メーカー 4 社STI形成CMP装置STI形成CMP装置とは、Shallow Trench Isolation（浅溝素子分離）構造を形成するためのCMP装置です。
メーカー 4 社スラリー供給・回収装置スラリー供給・回収装置は、CMPで使う研磨スラリーを希釈・撹拌し、粒子を凝集させずに研磨定盤へ送り、使用後の液を回収・処理する設備です。
メーカー 3 社