ウェハエッジ研磨装置メーカー5社
ウェハエッジ研磨装置は、面取り（ベベル）加工したウェハ外周部を研磨し、エッジの粗さとマイクロクラックを除去する装置です。エッジが粗いままだと、そこを起点にパーティクルが発生したり、熱処理時にスリップ転位が生じてウェハ全体の品質を損ないます。研磨テープ方式やバフ方式でベベル面と外周端面を鏡面化し、後工程での欠け（チッピング）と発塵を抑えます。300mmウェハでは外周部のデバイス取り数を確保する観点からも重要な工程です。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | スピードファムEP-300-X | Mipoxウェハエッジポリッシャー |
|---|---|---|
| 研磨方式 | パッド研磨（部位別の個別研磨） | 研磨テープ（薬液不要） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm（EP-200-XW-II は 200 mm） | 0.5 ～ 12 インチ（SiC 8 インチ仕様あり） |
| 関連機種 | EP-300-XW／EP450W（450 mm） | SiC 向けエッジ・ノッチ研磨仕様 |
| 主要用途 | シリコンウェーハのエッジ鏡面化 | エッジの膜除去・面取り形状の形成 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 研磨方式 | パッド研磨（部位別の個別研磨） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm（EP-200-XW-II は 200 mm） |
| 関連機種 | EP-300-XW／EP450W（450 mm） |
| 主要用途 | シリコンウェーハのエッジ鏡面化 |
ウェハエッジポリッシャー
砥粒を塗布した研磨テープでノッチとベベルを研磨する Mipox の装置。シリコンウェーハ・再生ウェーハメーカーを中心に 200 台以上が導入されている。
| 研磨方式 | 研磨テープ（薬液不要） |
| 対応ウェハ径 | 0.5 ～ 12 インチ（SiC 8 インチ仕様あり） |
| 関連機種 | SiC 向けエッジ・ノッチ研磨仕様 |
| 主要用途 | エッジの膜除去・面取り形状の形成 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
CMP（化学機械研磨）・両面研磨装置の専業メーカー。シリコンウェハの平坦化・エッジ研磨向け装置を中心に、日米で事業展開する。
- •CMP・研磨装置の専業メーカー
- •ウェハ両面研磨・エッジ研磨に強み
塗布技術を核とする研磨材メーカー。精密研磨フィルムを自社開発し、ウェハのエッジ・ベベル研磨装置や各種研磨装置と組み合わせて供給する。
- •研磨フィルムの自社塗工技術
- •消耗材と装置を一体で提案できる体制
シリコンウェハの両面研磨・エッジ研磨装置を手掛ける国内装置メーカー。溶接機事業を祖業とし、精密研磨技術を半導体ウェハ加工分野に展開する。
- •ウェハ両面研磨・エッジ研磨に強み
- •精密機械加工技術の長年の蓄積
日本の精密計測・半導体製造装置メーカー。ウェーハプロービングシステムおよびダイシング装置で高い技術力を誇る。
- •ウェーハプローバーにおける高精度計測技術
- •ダイシングソーおよび研削装置の製造実績
CMP（化学機械研磨）装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
関連カテゴリ
化合物半導体基板製造装置は、SiC・GaN・GaAs・InPなどシリコン以外の半導体基板を製造・成膜する装置群です。
メーカー 6 社単結晶製造装置（CZ/FZ引上げ）単結晶製造装置は、多結晶シリコン原料を融解し、種結晶から無欠陥の単結晶インゴットを成長させる装置です。
メーカー 3 社両面研磨装置（DSP）両面研磨装置（DSP）は、ウェハの表裏を上下の研磨定盤で同時に研磨し、高い平坦度と平行度を作り込む装置です。
メーカー 5 社ウェハ基板検査装置ウェハ基板検査装置は、デバイス工程へ投入する前の鏡面ウェハについて、表面の異物・スクラッチ・LPD（光点欠陥）、形状、抵抗率などを検査する装置群です。
メーカー 3 社ウェハ研磨・面取り装置ウェハ研磨・面取り装置は、スライス直後のウェハ表面を鏡面化し、エッジを整える仕上げ工程の装置群です。
メーカー 8 社ワイヤソー・スライシング装置スライシング装置は、成長させた単結晶インゴットを薄いウェハ状に切断する装置です。
メーカー 5 社