真空蒸着とは、真空の容器の中で金属などの材料を加熱して蒸発（昇華）させ、その蒸気を基板の表面に付着させて薄い膜を作る方法です。スパッタリングと並ぶPVD（物理気相成長）の代表的な方法で、最も古くから使われている成膜方法の1つです。材料を加熱する方法によって、電流を流したボートで加熱する抵抗加熱蒸着と、電子ビームを当てて加熱する電子ビーム蒸着に分かれます。
電子ビーム蒸着は、高い融点の金属や酸化物も蒸発させられ、るつぼからの汚れも少ないため、半導体ではよく使われます。容器の中は高い真空に保たれるため、蒸発した原子はほとんどぶつからずにまっすぐ飛び、基板に届きます。そのため、膜の付き方に強い方向性があり、段差の側面には膜がほとんど付きません（段差被覆性が低い）。
この方向性は、レジストのパターンの上に膜を付け、レジストごと不要な部分をはがすリフトオフ法と相性がよく、化合物半導体のトランジスタやLED、レーザーの電極（金・チタン・白金など）を作るのに広く使われています。光学部品の反射防止膜や、有機ELの発光層の成膜にも使われます。一方、シリコンの微細な配線のように、深い溝の側面や底まで均一に覆う必要がある用途では、スパッタリングやCVD、ALDが使われます。
