Sense.i®
Kiyo と Flex の技術を発展させた Lam Research のエッチングプラットフォーム。コンパクトで高密度な構成と、装置知能（Equipment Intelligence）による自動校正・保守を特長とする。
Sense.iとは
Sense.i は、Lam Research のプラズマエッチング用プラットフォームです。業界をリードしてきたコンダクタエッチの Kiyo と誘電体エッチの Flex のプロセスモジュールから技術を発展させ、クリティカル／セミクリティカルなエッチング用途に向けた差別化技術を提供します。
最先端のチャンバー技術と Lam Equipment Intelligence プラットフォームを備え、コンパクトで高密度な構成によって最も高いウェーハ出力密度を実現しています。ゼロから設計し直したアーキテクチャで、先端ロジックとメモリのロードマップを今後10年以上支える拡張性を持つとしています。
より高い 3D 構造の CD 均一性とエッチングプロファイルの制御、スマートセンシングによるプロセスモジュールの最適化と量産での再現性向上、自律的な校正・保守を行う自動化システムによるダウンタイムと人件費の削減が特長です。
主な特長
- •Kiyo・Flex の技術を発展させたチャンバー
- •コンパクト・高密度構成で最高水準のウェーハ出力密度
- •Lam Equipment Intelligence とスマートセンシング
- •自律校正・保守によるダウンタイム削減
主な仕様
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） |
|---|---|
| 主な技術 | Lam Equipment Intelligence・スマートセンシング・自律校正 |
| 主要用途 | コンダクタ・誘電体エッチング（先端ロジック・メモリ） |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Episode™ UL | Lam ResearchSense.i® | Applied MaterialsProducer® Selectra® Etch |
|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） | 反応性イオンエッチング（RIE） | ラジカルベースの選択エッチング（等方性） |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの絶縁膜・コンダクタエッチング | コンダクタ・誘電体エッチング（先端ロジック・メモリ） | FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造 |
1機種だけが掲載している項目（4件）
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| チャンバー構成 | 4 ～ 12 チャンバー（水平対向設計） | — | — |
| 主な技術 | — | Lam Equipment Intelligence・スマートセンシング・自律校正 | — |
| 対象 | — | — | 絶縁膜・金属膜・半導体膜 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •コンダクタエッチング
- •誘電体エッチング
- •先端ロジック・メモリの高い 3D 構造
掲載カテゴリ
Sense.iは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。