Flex®(誘電体エッチング)
Lam Research の誘電体エッチング用プロダクトファミリー。マルチ周波数・小容積の閉じ込めプラズマで、絶縁膜の微細・高アスペクト比加工を行う。
Flexとは
Flex は、Lam Research の誘電体(絶縁膜)エッチング用プロダクトファミリーです。誘電体エッチングは、デバイスの導電部分どうしを隔てる絶縁材料にパターンを刻む工程で、先端デバイスでは非常に高く細い構造や、複雑で敏感な材料を扱います。
マルチ周波数・小容積の閉じ込めプラズマ設計により、高い均一性・再現性・調整性を得ています。その場(in-situ)の多段エッチと連続プラズマで、低欠陥のまま高い生産性を維持します。独自の AMMP(Advanced Mixed Mode Pulsing)技術によるプラズマ ALE で、非常に高い選択比のエッチングも可能です。
製品には Exelan Flex、Exelan Flex45、Flex D/E/F/G/H シリーズがあり、一部は再生品の Reliant Systems でも提供されています。極低温エッチングにも対応し、3D NAND の高アスペクト比ホールの加工にも使われます。
主な特長
- •マルチ周波数・小容積の閉じ込めプラズマ
- •in-situ 多段エッチと連続プラズマ
- •AMMP によるプラズマ ALE(超高選択比)
- •低リスク・低コストのアップグレードで長期運用
主な仕様
| 方式 | RIE・プラズマ ALE・極低温エッチング |
|---|---|
| 主な技術 | マルチ周波数閉じ込めプラズマ・AMMP(混合モードパルス) |
| シリーズ構成 | Exelan Flex/Flex45/Flex D・E・F・G・H シリーズ |
| 主要用途 | Low-k デュアルダマシン・SAC・キャパシタ・3D NAND 高アスペクト比ホール |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン(TEL)Tactras™ | Lam ResearchFlex®(誘電体エッチング) | Applied MaterialsProducer® Selectra® Etch |
|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング(RIE) | RIE・プラズマ ALE・極低温エッチング | ラジカルベースの選択エッチング(等方性) |
| 主要用途 | マスク/絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜 | Low-k デュアルダマシン・SAC・キャパシタ・3D NAND 高アスペクト比ホール | FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造 |
1機種だけが掲載している項目(5件)
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー(水平対向設計) | — | — |
| 主な技術 | — | マルチ周波数閉じ込めプラズマ・AMMP(混合モードパルス) | — |
| シリーズ構成 | — | Exelan Flex/Flex45/Flex D・E・F・G・H シリーズ | — |
| 対象 | — | — | 絶縁膜・金属膜・半導体膜 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •Low-k/超 Low-k のデュアルダマシン
- •セルフアラインコンタクト、キャパシタセル、マスクオープン
- •3D NAND の高アスペクト比ホール・トレンチ・コンタクト
掲載カテゴリ
Flexは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Lam Research
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06