Lam Research/めっき装置(電解銅めっき)

SABRE®(銅 ECD)

銅配線への移行を先導した Lam の電解めっき(ECD)製品ファミリー。高アスペクト比の構造をボイドなくボトムアップで埋める。

SABREとは

SABRE は、Lam Research の電解めっき(ECD)製品ファミリーです。銅配線への移行を先導してきた製品で、生産性の高いプラットフォームで銅ダマシンの製造に必要な精度を提供します。

銅配線では、ピンホールや微小なごみのようなわずかな欠陥でも、速度の低下や故障につながります。先端の配線は細く複雑な膜の重なりを持ち、バリア/シード層は薄く、線幅は狭くなっています。1 つの層の中でもアスペクト比やシードの付き方が大きく違う構造を埋める広いプロセスウィンドウが必要です。

SABRE は、高スループットでボイドのない埋め込み、もっとも速いボトムアップ成長、さまざまなライナー材料への銅の直接成膜、めっき開始時のシード層の保護、業界をリードするエッジ除外の縮小を特長とします。SABRE Extreme、Max、Excel、F Series があります。

主な特長

  • •ボイドのないボトムアップ埋め込み
  • •各種ライナーへの銅の直接成膜
  • •シード層の保護技術
  • •エッジ除外の縮小で取れ数増加

主な仕様

方式電解めっき(銅ダマシン)
ラインアップSABRE Extreme/Max/Excel/F Series
主要用途ロジック・メモリの配線

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsRaider® ECDApplied MaterialsNokota VMax™ 2 ECDACM ResearchUltra ECP mapLam ResearchSABRE® 3DLam ResearchSABRE®(銅 ECD)
主要用途Cu 配線のシード・埋め込みHBM・バンプ・RDL・メガピラー・TSV55/40/28/14 nm 以降のデュアルダマシン Cu 配線TSV・RDL・Cu ピラー・マイクロバンプロジック・メモリの配線
めっき方式電解めっき(多ゾーンアノード)—電解めっき(多アノード部分めっき)電解めっき(クラムシェル・密閉ドライ接点)—
特徴電流密度を動的に変える反応槽・イオン膜で薬液寿命を延長—極薄シード層に対応・部分パルスめっき(めっき均一性 1.5% 未満)めっきセル・前後処理セルを組み合わせるモジュール構成、SnAg 薬液コストを低減—
対応ウェハ径150 ~ 300 mm—300 mm——
方式—電解めっき(ECD)——電解めっき(銅ダマシン)
1機種だけが掲載している項目(2件)
構成—20 チャンバー・SafeSeal シングルタッチ搬送———
ラインアップ————SABRE Extreme/Max/Excel/F Series

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •ロジックの銅配線
  • •メモリの配線

掲載カテゴリ

SABREは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Lam Research

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

Lam Research の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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