SABRE® 3D

前工程の技術を先端パッケージ向けに展開した電解めっき装置。モジュール構成で多様な WLP 工程に対応する。

SABRE 3Dとは

SABRE 3D は、Lam Research の先端パッケージ向け電解めっき装置です。ウェーハレベルパッケージ（WLP）や TSV 構造の電気的接続をつくる銅などの金属めっきに使われます。実績のある SABRE Electrofill 技術にさらなる革新を加えています。

WLP・TSV のめっきは BEOL のダマシン埋め込みと似ていますが、成膜量がオングストロームではなくミクロンの単位と桁違いに大きく、長い成膜時間と多段処理が必要です。高いめっき速度でのウェーハ面内均一性とダイ内のコプラナリティ、低コスト、低欠陥、ボイドのないマイクロバンプやはんだ接合が課題になります。

改良型のめっきセル技術でダイ内・ウェーハ面内の均一性を損なわずにめっき速度を上げ、複数のめっきセルと前後処理セルを組み合わせるモジュール構成でさまざまなパッケージ用途に対応します。SnAg めっき液のコストを大きく下げる技術も備えます。製品は SABRE 3D と SABRE 3D xT です。

主な特長

•高速めっきでもダイ内・面内均一性を維持
•めっきセル・前後処理セルを組み合わせるモジュール構成
•SnAg 薬液コストの低減
•SABRE 3D／SABRE 3D xT

主な仕様

めっき方式	電解めっき（クラムシェル・密閉ドライ接点）
特徴	めっきセル・前後処理セルを組み合わせるモジュール構成、SnAg 薬液コストを低減
主要用途	TSV・RDL・Cu ピラー・マイクロバンプ

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsRaider® ECD	ACM ResearchUltra ECP map	Lam ResearchSABRE® 3D
めっき方式	電解めっき（多ゾーンアノード）	電解めっき（多アノード部分めっき）	電解めっき（クラムシェル・密閉ドライ接点）
特徴	電流密度を動的に変える反応槽・イオン膜で薬液寿命を延長	極薄シード層に対応・部分パルスめっき（めっき均一性 1.5% 未満）	めっきセル・前後処理セルを組み合わせるモジュール構成、SnAg 薬液コストを低減
主要用途	Cu 配線のシード・埋め込み	55/40/28/14 nm 以降のデュアルダマシン Cu 配線	TSV・RDL・Cu ピラー・マイクロバンプ
対応ウェハ径	150 ～ 300 mm	300 mm	—