めっき装置(電解銅めっき)メーカー3

めっき装置(電解銅めっき/ECD)は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。デュアルダマシン配線では、スパッタで付けたシード層を起点に、抑制剤・促進剤・平滑剤を組み合わせたボトムアップ成長で深い穴をボイドなく埋めます。先端パッケージングではTSVの充填や再配線層(RDL)、マイクロバンプの形成にも使われ、後工程側での重要性が急速に高まりました。めっき液の成分管理と電流波形の制御が埋め込み性能を決めます。

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主要特徴

電解めっきでビア・トレンチ内部に銅配線を形成する
添加剤の組み合わせによるボトムアップ成長でボイドなく埋める
TSV充填・RDL・マイクロバンプなど後工程でも重要性が高い
めっき液の成分管理と電流波形制御が埋め込み性能を決める

メーカー

3社の主要メーカー

Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
会社詳細
荏原製作所日本

CMP(化学機械研磨)装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。

CMP装置
FREX(300mm CMP)F-REX(先端CMP)
真空ポンプ
EV-Aシリーズ(ドライ真空)除害装置
  • CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
  • ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
会社詳細
ACM Research米国

半導体洗浄装置の米国メーカー。空間交互位相シフト(SAPS)と時間分解型(TEBO)のメガソニック技術で、微細パターンを壊さずに残渣を除去する枚葉洗浄装置を展開する。

洗浄装置
SAPS枚葉洗浄TEBOメガソニック洗浄バッチ洗浄
  • SAPS/TEBOメガソニック洗浄の独自技術
  • 高アスペクト比構造のパターン倒壊対策に強み
会社詳細

関連カテゴリ

ALD装置

ALD装置(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。

メーカー 6
CVD装置

CVD装置(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。

メーカー 11
エピタキシャル成長装置

エピタキシャル成長装置(Epitaxy)は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層(エピタキシャル層)を成長させる特殊な成膜装置です。

メーカー 4
LPCVD(低圧CVD)

LPCVD装置(減圧CVD)は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。

メーカー 7
MBE装置(分子線エピタキシー)

MBE装置(分子線エピタキシー)は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。

メーカー 4
MOCVD装置

MOCVD装置(有機金属気相成長)は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。

メーカー 5
PECVD(プラズマCVD)

PECVD装置(プラズマCVD)は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。

メーカー 8
PVD装置

PVD装置(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。

メーカー 5
スパッタリング装置

スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。

メーカー 4
真空蒸着装置

真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。

メーカー 5

関連用語

比較・違いを学ぶ

CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi
PECVDとLPCVDの違い(プラズマCVD vs 熱CVD)
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ALDとPVDの違い(原子層成膜 vs スパッタ成膜)
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)とPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、どちらも半導
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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