MBE装置（分子線エピタキシー）メーカー4社
MBE装置（分子線エピタキシー）は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。10⁻⁸Pa台の超高真空により不純物の混入が極めて少なく、RHEEDで成長を原子層単位でその場観察できるため、急峻なヘテロ界面や超格子構造を作り込めます。成長速度が遅く量産性ではMOCVDに劣るため、化合物半導体の研究開発や量子デバイス、高周波デバイス向けの高品質エピ層に用いられます。
主要特徴
メーカー
4社の主要メーカー
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
フランスの分子線エピタキシー（MBE）装置メーカー。研究・産業向けの MBE システム、300mm シリコン対応 MBE システム、分子線源、ヒーター・マニピュレータなどの部品とサービスを提供する。
- •MBE 装置と関連サービスの専業サプライヤー
- •300mm シリコン対応の MBE システム
2000年設立の結晶成長装置メーカー。小型研究用を含む MBE 装置、MOCVD 装置、液体原料供給 MOCVD 装置、高温 CVD 装置、面発光レーザー用酸化装置を製造し、エピタキシャルウエハも扱う。
- •MBE と MOCVD の両方式に対応
- •研究用の小型装置からマルチチャンバ構成まで
1989年創業のフィンランドの超高真空成膜装置メーカー。酸化物 MBE を強みに、III-V 族・窒化物向けの量産 MBE システム、PVD、パルスレーザー堆積装置を供給し、超伝導量子ビット用途の装置も納入している。
- •酸化物 MBE の技術力
- •III-V・窒化物向け量産 MBE システム
関連カテゴリ
ALD装置（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。
メーカー 6 社CVD装置CVD装置（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。
メーカー 11 社めっき装置（電解銅めっき）めっき装置（電解銅めっき／ECD）は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。
メーカー 3 社エピタキシャル成長装置エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。
メーカー 4 社LPCVD（低圧CVD）LPCVD装置（減圧CVD）は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。
メーカー 7 社MOCVD装置MOCVD装置（有機金属気相成長）は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。
メーカー 5 社PECVD（プラズマCVD）PECVD装置（プラズマCVD）は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。
メーカー 8 社PVD装置PVD装置（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。
メーカー 5 社スパッタリング装置スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。
メーカー 4 社真空蒸着装置真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。
メーカー 5 社