真空蒸着装置メーカー5

真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。抵抗加熱方式と電子ビーム加熱方式があり、後者は高融点材料にも対応します。蒸発源から直進する粒子が積もるため指向性が強く、リフトオフによる微細金属パターンの形成に向く一方、深い凹凸の側壁被覆は苦手です。化合物半導体の電極形成、光学多層膜、MEMSの金属化など、スパッタでは扱いにくい材料や低ダメージが求められる用途で使われ続けています。

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主要特徴

高真空中で材料を蒸発させ基板上で凝縮させて成膜する
抵抗加熱式と電子ビーム加熱式があり後者は高融点材料に対応
指向性が強くリフトオフによる微細金属パターン形成に向く
化合物半導体の電極・光学多層膜・MEMS金属化で使われる

メーカー

5社の主要メーカー

ULVAC(アルバック)日本

真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。

PVD装置
スパッタリングシステム蒸着装置
CVD装置
プラズマCVD熱CVD
真空ポンプ
ターボ分子ポンプドライポンプ
  • 真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
  • スパッタリング装置で国内トップクラス
会社詳細
芝浦メカトロニクス日本

東芝グループの半導体・FPD製造装置メーカー。枚葉式の洗浄装置やスピンプロセッサ、ドライエッチング装置、成膜装置などを手掛ける。

前工程装置
枚葉式洗浄装置スピンプロセッサドライエッチング装置
  • 枚葉式洗浄・スピンプロセス装置に強み
  • 半導体とFPDの両分野で装置を展開
会社詳細
昭和真空日本

真空装置の開発・製造・販売を行う。水晶振動子など水晶デバイスの周波数調整装置、スマートフォンカメラレンズ向けなどの光学薄膜用真空蒸着装置、スパッタリング装置を手がける。

真空装置
水晶デバイス用周波数調整装置真空蒸着装置スパッタリング装置
  • 水晶デバイス用周波数調整装置
  • 光学薄膜向けの真空蒸着装置
会社詳細
シンクロン日本

真空薄膜形成装置のメーカー。蒸着とスパッタリングの両方式の成膜装置を開発し、光学フィルター・反射防止膜などの光学薄膜や電子部品向けの成膜に用いられる。

真空成膜装置
真空蒸着装置スパッタリング装置
  • 蒸着とスパッタの両方式を自社開発
  • 光学薄膜向け成膜の実績
会社詳細
神港精機日本

真空ポンプ・真空コンポーネントと真空応用装置のメーカー。薄膜形成装置(蒸着・スパッタ・イオンプレーティング)、アッシングなどのプラズマ処理装置、真空はんだ付け・接合装置、真空熱処理装置を製造する。

成膜装置
真空蒸着装置イオンプレーティング装置スパッタリング装置
プラズマ・接合
アッシング装置大気圧プラズマ装置真空はんだ付け装置
  • 真空ポンプから装置まで自社で揃う
  • 蒸着・イオンプレーティングなど成膜方式の幅
会社詳細

関連カテゴリ

ALD装置

ALD装置(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。

メーカー 6
CVD装置

CVD装置(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。

メーカー 11
めっき装置(電解銅めっき)

めっき装置(電解銅めっき/ECD)は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。

メーカー 3
エピタキシャル成長装置

エピタキシャル成長装置(Epitaxy)は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層(エピタキシャル層)を成長させる特殊な成膜装置です。

メーカー 4
LPCVD(低圧CVD)

LPCVD装置(減圧CVD)は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。

メーカー 7
MBE装置(分子線エピタキシー)

MBE装置(分子線エピタキシー)は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。

メーカー 4
MOCVD装置

MOCVD装置(有機金属気相成長)は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。

メーカー 5
PECVD(プラズマCVD)

PECVD装置(プラズマCVD)は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。

メーカー 8
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PVD装置(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。

メーカー 5
スパッタリング装置

スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。

メーカー 4

関連用語

比較・違いを学ぶ

CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
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ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
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PECVDとLPCVDはどちらもCVD(化学気相成長)の一方式ですが、活性化エネルギーの源泉が根本的に異なります。PECVD(Plasma Enhanced C
ALDとPVDの違い(原子層成膜 vs スパッタ成膜)
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)とPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、どちらも半導
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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