PECVD（プラズマCVD）メーカー8社
PECVD装置（プラズマCVD）は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。熱CVDが700°C以上を要する膜でも300〜400°C程度で成膜できるため、アルミ配線や層間絶縁膜のように高温に置けない構造の上へ膜を付けられます。層間絶縁膜のSiO₂、パッシベーションのSiN、ハードマスク用のアモルファスカーボンなど適用範囲は広く、高密度プラズマ（HDP-CVD）方式では狭いトレンチを埋め込みながら成膜できます。膜応力と水素含有量の制御が品質管理の要点です。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsProducer Celera PECVD | Applied MaterialsProducer Precision APF PECVD | Lam ResearchVECTOR PECVD |
|---|---|---|---|
| 主要用途 | 先端ノードの歪みエンジニアリング | DRAM・NAND・ロジックのパターニング | 層間絶縁膜・ハードマスクの成膜 |
| プラットフォーム | Applied Producer | Applied Producer | — |
| 対応膜種 | 高応力シリコン窒化膜（圧縮／引張） | アモルファスカーボン ハードマスク（APF） | — |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 制御項目 | 膜応力のチューニング | — | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | — | 剥離可能なハードマスク膜 | — |
| 構成 | — | — | マルチステーション（300 mm 機は 4 ステーション） |
| 200 mm 機 | — | — | Sequel（6 ステーション） |
| 関連機種 | — | — | VECTOR Strata（3D NAND向け／2014年）（派生機種） |
| 初期リリース | — | — | 2000年 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Producer Celera PECVD
圧縮・引張の応力をチューニングできる高応力シリコン窒化膜を成膜するPECVDシステム。先端ノードの歪みエンジニアリングに用いられる。
| プラットフォーム | Applied Producer |
| 対応膜種 | 高応力シリコン窒化膜（圧縮／引張） |
| 制御項目 | 膜応力のチューニング |
| 主要用途 | 先端ノードの歪みエンジニアリング |
Producer Precision APF PECVD
剥離可能なアモルファスカーボン系ハードマスク（APF）を成膜するPECVDシステム。先端DRAM・NAND・ロジックの微細パターニング工程で使われる。
| プラットフォーム | Applied Producer |
| 対応膜種 | アモルファスカーボン ハードマスク（APF） |
| 特徴 | 剥離可能なハードマスク膜 |
| 主要用途 | DRAM・NAND・ロジックのパターニング |
VECTOR PECVD
マルチステーション構成のPECVDシステム。1チャンバー内の複数ステーションを順に通すことで、成膜の生産性と膜厚均一性を確保する。
| 構成 | マルチステーション（300 mm 機は 4 ステーション） |
| 200 mm 機 | Sequel（6 ステーション） |
| 関連機種 | VECTOR Strata（3D NAND向け／2014年）（派生機種） |
| 初期リリース | 2000年 |
| 主要用途 | 層間絶縁膜・ハードマスクの成膜 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
8社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
- •ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
- •SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
- •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
- •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
- •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
- •スパッタリング装置で国内トップクラス
プラズマエッチング・CVD・表面処理装置の専業メーカー。化合物半導体（GaN・SiC・GaAs）やMEMS・パワー・光デバイス向けの薄膜・微細加工プロセスに強みを持つ。
- •化合物半導体・MEMS向けプロセス装置に強み
- •エッチング・CVD・表面処理を一貫提供
住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置（DRIE）とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。
- •シリコン深掘りエッチング（DRIE）の専業メーカー
- •MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
MEMS・パワー・TSV向けの深掘り反応性イオンエッチング（DRIE）装置やマイクロ加工技術で知られる。航空・熱制御事業も併せ持つ精密機器メーカー。
- •深掘りエッチング（DRIE）で高アスペクト比加工に強み
- •MEMS・TSV・パワーデバイス向けプロセス
関連カテゴリ
ALD装置（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。
メーカー 6 社CVD装置CVD装置（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。
メーカー 11 社めっき装置（電解銅めっき）めっき装置（電解銅めっき／ECD）は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。
メーカー 3 社エピタキシャル成長装置エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。
メーカー 4 社LPCVD（低圧CVD）LPCVD装置（減圧CVD）は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。
メーカー 7 社MBE装置（分子線エピタキシー）MBE装置（分子線エピタキシー）は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。
メーカー 4 社MOCVD装置MOCVD装置（有機金属気相成長）は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。
メーカー 5 社PVD装置PVD装置（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。
メーカー 5 社スパッタリング装置スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。
メーカー 4 社真空蒸着装置真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。
メーカー 5 社