Episode™ UL
最大 12 チャンバーを選べる東京エレクトロンの 300mm 対応エッチングプラットフォーム。2020年発売で、絶縁膜・コンダクタの両方に対応する。
Episode ULとは
Episode UL は、東京エレクトロンが 2020年に発売した 300mm 対応のエッチングプラットフォームです。搭載チャンバー数を 4〜12 の間で選べ、業界最大の 12 チャンバーまで対応します。
TEL はチャンバーの水平対向設計のパイオニアで、Episode UL も最大 12 チャンバーにした場合でも、クリーンルームと用力エリアの両方でチャンバーあたりのフットプリントを大幅に減らせます。従来品よりワークスペースを広げ、メンテナンス性も高めました。
搬送系とプロセスモジュールに複数のセンサーと高速制御システムを載せ、装置の稼働やプロセス状況をモニタリングする TEL 独自の Smart Tool 機能を使って、ビッグデータ解析による自律的なプロセス制御を行えます。絶縁膜とコンダクタの両方のエッチングに対応します。
主な特長
- •4〜12 チャンバーをフレキシブルに選択
- •水平対向設計でチャンバーあたりのフットプリントを削減
- •Smart Tool 機能によるビッグデータ解析と自律プロセス制御
- •メンテナンス性を高めた広いワークスペース
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） |
| チャンバー構成 | 4 ～ 12 チャンバー（水平対向設計） |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの絶縁膜・コンダクタエッチング |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Episode™ UL | Lam ResearchSense.i® | Applied MaterialsProducer® Selectra® Etch |
|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） | 反応性イオンエッチング（RIE） | ラジカルベースの選択エッチング（等方性） |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの絶縁膜・コンダクタエッチング | コンダクタ・誘電体エッチング（先端ロジック・メモリ） | FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造 |
1機種だけが掲載している項目（4件）
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| チャンバー構成 | 4 ～ 12 チャンバー（水平対向設計） | — | — |
| 主な技術 | — | Lam Equipment Intelligence・スマートセンシング・自律校正 | — |
| 対象 | — | — | 絶縁膜・金属膜・半導体膜 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •最新ロジック・メモリの絶縁膜エッチング
- •コンダクタエッチング
掲載カテゴリ
Episode ULは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
材料別エッチャーのほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06