Aspect®

高アスペクト比構造の Z 方向プロファイルを非破壊で測るインラインの赤外 OCD（IRCD）装置。

Aspectとは

Aspect は、Onto Innovation のインラインの非破壊の赤外光学 CD（IRCD）装置です。高アスペクト比構造の Z 方向（深さ方向）のプロファイルを測り、重要な工程の管理を可能にします。高速で工程のカバー範囲が広いのが特長です。

密度と電力の微細化が進むなか、3D NAND や 3D DRAM などの先端メモリを中心に、高アスペクト比（HAR）の工程が多くのデバイスで使われています。Aspect はこうした構造と微細化の戦略を見据えて設計されました。

独自の IRCD システムで完全なプロファイルを測れ、複数の顧客のデバイスで優れた性能を示しています。

主な特長

•赤外 OCD（IRCD）
•Z 方向のプロファイル計測
•非破壊・インライン

主な仕様

方式	赤外光学 CD（IRCD）・非破壊
測定	高アスペクト比構造の Z 方向プロファイル
対象	3D NAND・3D DRAM

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	KLASpectraShape™ 12k	KLAAxion® T2000	Onto InnovationAtlas® V	Onto InnovationAtlas® G6	Onto InnovationAtlas® III+	Onto InnovationAspect®	Onto InnovationAspect® S	ノヴァ・メジャリング・インスツルメンツ（Nova）Nova PRISM
方式	—	X 線による CD・形状計測（非破壊）	—	OCD（光学 CD）・薄膜計測	分光反射率＋分光エリプソメトリ	赤外光学 CD（IRCD）・非破壊	モデルベース赤外反射率計測・非破壊	—
測定項目	CD・メタルゲートリセス・側壁角・レジスト高さ・ピッチウォーキング	曲がり・反り・CD プロファイル・エッチング深さ・楕円度・傾き	CD・埋もれ構造・GAA のナノワイヤ個別寸法	—	—	—	—	CD・形状（弱い感度のパラメータを含む）
主要用途	先端ロジック・メモリの寸法管理	3D NAND・DRAM の高アスペクト比構造	GAA・3D NAND・DRAM の工程管理	—	—	—	—	成膜・エッチング工程のインライン管理
測定方式	分光エリプソメトリー＋反射率（多入射角・偏光）	—	DUV 4×4 ミュラー行列 SE＋偏光垂直入射反射率	—	—	—	—	分光干渉＋分光反射＋分光エリプソメトリー
関連機種	SpectraShape 11k／10K	—	Atlas G6（次世代機）	—	—	—	—	—
特徴	—	—	—	新光学設計で S/N・分光安定性・精度を向上、AI によるレシピ開発	—	—	小スポットでスクライブライン上を測定	—
対象	—	—	—	GAA・次世代 HBM・縦型 DRAM	—	3D NAND・3D DRAM	—	—
測定	—	—	—	—	—	高アスペクト比構造の Z 方向プロファイル	カーボンハードマスク・エッチング後 3D 構造の寸法・均一性	—