Synapse™ Si（ウェーハボンダー）

300mmウェーハ対応の接合デバイス向けウェーハボンディング装置。フュージョンボンディングとCuハイブリッドボンディングの双方に対応します。積層型CISの画素ウェーハとロジックウェーハの接合は、このハイブリッドボンディング工程にあたります。

Synapse Siとは

Synapse Si は、東京エレクトロンの 300mm ウェーハ向け永久接合装置です。フュージョンボンディングと Cu ハイブリッドボンディングの両方に対応します。

先端の CMOS イメージセンサー、次世代メモリ、先端ロジックでは、微細化に加えて、永久接合を使った 3 次元の高密度実装で性能を高める取り組みが進んでいます。Synapse Si はこのウェーハ永久接合工程に向けた装置です。

前工程で実績のあるプラットフォーム、洗浄モジュール、プラズマ処理モジュールの設計を受け継ぎ、高い量産信頼性を持ちながら、高いアライメント精度と高スループットを両立しています。同じシリーズには、TSV 工程のウェーハの仮接合を行う Synapse V と、剥離・洗浄を行う Synapse Z Plus があります。

主な特長

•フュージョン接合と Cu ハイブリッド接合の両方に対応
•前工程で実績のあるプラットフォーム・洗浄・プラズマ処理
•高アライメント精度と高スループット

主な仕様

装置種別	ウェーハボンダー
対応ウェハ径	300 mm
接合方式	フュージョンボンディング / Cuハイブリッドボンディング
特徴	高いアライメント精度と高スループットを同時に実現
主要用途	3次元積層デバイスのウェーハ接合

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

ウェーハ接合：2機種の比較

項目	東京エレクトロン（TEL）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）	EV GroupGEMINI® FB XT（ウェーハボンダー）
装置種別	ウェーハボンダー	ウェーハボンダー
対応ウェハ径	300 mm	200 / 300 mm
接合方式	フュージョンボンディング / Cuハイブリッドボンディング	フュージョンボンディング / ハイブリッドボンディング
主要用途	3次元積層デバイスのウェーハ接合	裏面照射型CISの積層、メモリ積層、3D SoC

1機種だけが掲載している項目（3件）

特徴	高いアライメント精度と高スループットを同時に実現	—
アライメント精度	—	50 nm未満（SmartView® NT3 ボンドアライナー）
前処理モジュール	—	最大6（洗浄・LowTemp™プラズマ活性化・アライメント検証など）

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。