Axion® T2000

3D NAND や DRAM の高アスペクト比構造の 3D 形状を X 線で非破壊に測る寸法計測装置。

Axion T2000とは

Axion T2000 は、KLA の X 線による寸法計測装置です。先端の 3D NAND や DRAM で使われる高アスペクト比の構造の 3D 形状を、高解像度で速く、正確に、非破壊で測ります。

曲がり、反り、CD プロファイル、エッチングの深さ、楕円度、傾きなど、メモリの性能や歩留まりに影響する細かな構造の変化を見つけます。

インラインで非破壊に測れるため、研究開発では時間のかかる破壊的な FIB-SEM、TEM、断面 SEM の代わりになり、学習サイクルを速めます。量産では重要な工程の評価・監視・管理に使われます。

主な特長

•X 線による非破壊の 3D 形状計測
•高アスペクト比構造の微細な変化を検出
•FIB-SEM・TEM の代替

主な仕様

方式	X 線による CD・形状計測（非破壊）
測定項目	曲がり・反り・CD プロファイル・エッチング深さ・楕円度・傾き
主要用途	3D NAND・DRAM の高アスペクト比構造

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	KLASpectraShape™ 12k	KLAAxion® T2000	Onto InnovationAtlas® V	Onto InnovationAtlas® G6	Onto InnovationAtlas® III+	Onto InnovationAspect®	Onto InnovationAspect® S	ノヴァ・メジャリング・インスツルメンツ（Nova）Nova PRISM
方式	—	X 線による CD・形状計測（非破壊）	—	OCD（光学 CD）・薄膜計測	分光反射率＋分光エリプソメトリ	赤外光学 CD（IRCD）・非破壊	モデルベース赤外反射率計測・非破壊	—
測定項目	CD・メタルゲートリセス・側壁角・レジスト高さ・ピッチウォーキング	曲がり・反り・CD プロファイル・エッチング深さ・楕円度・傾き	CD・埋もれ構造・GAA のナノワイヤ個別寸法	—	—	—	—	CD・形状（弱い感度のパラメータを含む）
主要用途	先端ロジック・メモリの寸法管理	3D NAND・DRAM の高アスペクト比構造	GAA・3D NAND・DRAM の工程管理	—	—	—	—	成膜・エッチング工程のインライン管理
測定方式	分光エリプソメトリー＋反射率（多入射角・偏光）	—	DUV 4×4 ミュラー行列 SE＋偏光垂直入射反射率	—	—	—	—	分光干渉＋分光反射＋分光エリプソメトリー
関連機種	SpectraShape 11k／10K	—	Atlas G6（次世代機）	—	—	—	—	—
特徴	—	—	—	新光学設計で S/N・分光安定性・精度を向上、AI によるレシピ開発	—	—	小スポットでスクライブライン上を測定	—
対象	—	—	—	GAA・次世代 HBM・縦型 DRAM	—	3D NAND・3D DRAM	—	—
測定	—	—	—	—	—	高アスペクト比構造の Z 方向プロファイル	カーボンハードマスク・エッチング後 3D 構造の寸法・均一性	—