レビューSEMメーカー3

レビューSEMは、欠陥検査装置が出力した欠陥座標へ自動で移動し、個々の欠陥を高分解能のSEM像で分類する装置です。検査装置は欠陥の有無と位置を高速に見つけますが形状までは判別できないため、レビューSEMで異物・パターン欠け・残渣といった種別へ自動分類(ADC)し、発生工程の特定につなげます。EDXを搭載した機種では元素組成も同時に取得でき、汚染源の同定を早められます。歩留まり立ち上げ期の解析リードタイムを左右する装置です。

メーカー 3関連カテゴリ 9

主要特徴

検査装置が出した欠陥座標へ自動移動し高分解能で観察する
異物・パターン欠け・残渣などへ自動欠陥分類(ADC)する
EDX搭載機では元素組成も同時取得でき汚染源を同定できる
欠陥検査装置とセットで歩留まり解析のリードタイムを決める

メーカー

3社の主要メーカー

日立ハイテク日本

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。

検査・計測装置
CD-SEMウェハ検査装置マスク検査装置膜厚計測装置
加工装置
プラズマエッチング装置
分析装置
走査電子顕微鏡(SEM)透過電子顕微鏡(TEM)
  • CD-SEM(測長SEM)で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
  • 2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
会社詳細
Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
会社詳細
ホロン日本

電子ビーム応用装置のメーカー。フォトマスクの欠陥レビューSEMやマスク欠陥修正装置、測長SEMなどを供給し、マスク製造の品質保証工程を支える。

マスク検査・修正
マスク欠陥レビューSEMマスク欠陥修正装置
計測装置
測長SEM(CD-SEM)
  • 電子ビーム光学系の自社設計
  • マスク欠陥のレビューと修正を担う装置群
会社詳細

関連カテゴリ

結晶欠陥検査装置

結晶欠陥検査装置は、シリコンやSiCの基板・エピ層に含まれるCOP・転位・積層欠陥・BPD(基底面転位)といった結晶起因の欠陥を検出する装置です。

メーカー 3
欠陥検査装置

欠陥検査装置(Defect Inspection)は、ウェハ表面や内部に存在するパターン欠陥・パーティクル・スクラッチなどを光学または電子線で自動検出するシステムです。

メーカー 2
電子線(EB)検査装置

電子線(EB)検査装置は、電子ビームを用いてウェーハ上のパターン欠陥・電気的欠陥を高分解能で検出する装置です。

メーカー 4
マクロ検査装置

マクロ検査装置は、ウェハ全面を低倍率で一括撮像し、レジストのコート不良・現像ムラ・スクラッチ・チッピング・ウェハエッジの異常など、比較的大きな外観不良を高速に検出する装置です。

メーカー 2
マスク検査装置

マスク検査装置(Mask Inspection)は、フォトリソグラフィで使用するフォトマスク・レチクルの欠陥・汚染を検出するシステムです。

メーカー 4
光学式ウェーハ検査装置

光学式ウェーハ検査装置は、レーザーや白色光を用いてウェーハ表面の異物・スクラッチ・結晶欠陥などを高速で検出する装置です。

メーカー 7
異物・パーティクル検査装置

異物・パーティクル検査装置は、ウェハ表面に付着した微粒子や傷をレーザー散乱光で検出し、サイズと座標をマップとして出力する装置です。

メーカー 3
膜厚計測装置

膜厚計測装置(Thickness Metrology)は、ウェハ上に形成された薄膜の厚さや光学特性を非破壊で精密測定するシステムです。

メーカー 5
ウェハ検査装置

ウェハ検査装置(Wafer Inspection)は、ウェハ表面のパーティクル・欠陥・パターン異常を自動検出するシステムです。

メーカー 5

関連用語

比較・違いを学ぶ

電子ビーム検査と光学検査の違い(欠陥検査方式の比較)
電子ビーム検査(E-beam Inspection)は電子ビームでウェハを走査し二次電子・反射電子像から欠陥を検出する方式で、数nm級の微小欠陥や配線のオープン
SEMとTEMの違い
SEMとTEMはどちらも電子線を使う顕微鏡で、光学顕微鏡では見えないナノメートル領域を観察するために使われます。名前は似ていますが、電子と試料の関わり方が根本的
四探針法とホール効果測定の違い
どちらも半導体の電気特性を測る基本手法ですが、得られる情報の量が違います。四探針法は抵抗率という1つの値を素早く測れる一方、その値の内訳までは教えてくれません。
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る