KLA/レビューSEM

Micro-SR™

光学式の欠陥レビュー・計測装置。ウェーハ表面とエッジの欠陥を画像化し、TSV・バンプ・RDL の XY と高さも測る。

Micro-SRとは

Micro-SR は、KLA の光学式の欠陥レビュー・計測装置です。ロジック、メモリ、化合物半導体デバイス、先端パッケージの量産を支えます。

高い解像度と複数の照明モードで、ウェーハの表面やエッジで見つかった欠陥を高品質に画像化して判定します。画像の取得が速く、パターン付き・パターンなしのすべての検査装置に対して自動欠陥レビューを並行して行えます。

TSV、バンプ、RDL などの X・Y・高さの計測にも対応します。複数のウェーハサイズと、厚さの違うウェーハ、Si・SiC・GaN・GaAs・ガラス・サファイアなどの基板を扱えます。CIRCL ではウェーハ表面のレビュー・計測モジュールとして使われます。

主な特長

  • •高解像度・複数照明モード
  • •自動欠陥レビュー
  • •TSV・バンプ・RDL の高さ計測
  • •多様な基板に対応

主な仕様

方式光学式欠陥レビュー・計測
対応ウェハ径150/200 mm・200/300 mm・300 mm
計測TSV・バンプ・RDL の X・Y・高さ

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目日立ハイテクCR7300日立ハイテクCT1000(欠陥形状評価 SEM)Applied MaterialsSEMVision™ H20Applied MaterialsSEMVision™ G10 Defect AnalysisApplied MaterialsSEMVision™ G7 Defect AnalysisApplied MaterialsSEMVision™ G7AP Defect AnalysisApplied MaterialsSEMVision® G9 Defect AnalysisKLAMicro-SR™KLAeDRX1™KLAeDR7380™
方式———電子ビーム欠陥レビュー(冷陰極電界放出)電子ビーム欠陥レビュー(e-lluminator 技術)電子ビーム欠陥レビュー・特性評価電子ビーム自動欠陥レビュー光学式欠陥レビュー・計測電子ビーム欠陥レビュー・分類電子ビーム欠陥レビュー・分類(機械学習 ADC)
特徴VT-Scan(電気特性可視化)・AI 画像処理—サブナノメートル分解能・従来比最大 3 倍の高速分類——非標準ウェーハ・基板の専用ハンドリングElluminator BSE 透過イメージング・電子ビームチルト・深い焦点深度—インレンズ検出器・Simul-6 技術—
対象———表面の微小欠陥・埋もれ欠陥車載・IoT・RF・フォトニクス・パワー・先端パッケージWLP・D2W/W2W 接合・ハイブリッド接合・TCB・HBM————
電子源新設計電子光学系(高速電子線スキャン)—冷陰極電界放出(CFE・第2世代)———————
主要用途先端デバイスの欠陥レビュー・分類—2nm ロジック・DRAM・3D NAND の埋もれ欠陥解析———————
分解能—7nm(1kV)—サブナノメートル——————
対応ウェハ径—100/150/200 mm—————150/200 mm・200/300 mm・300 mm——
機能————自動欠陥レビュー(ADR)・自動欠陥分類(ADC)—ディープラーニングによる分類———
1機種だけが掲載している項目(5件)
試料最大傾斜角—55°————————
計測———————TSV・バンプ・RDL の X・Y・高さ——
連携————————DualSENS(39xx/29xx)・OptiSens(Surfscan)—
対応ウェハ—————————150/200/300 mm・厚さ 180〜1,500µm
対応基板—————————SiC・GaN・ガラス・サファイア・POI など

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •欠陥レビュー・出荷品質管理
  • •先端パッケージの計測

掲載カテゴリ

Micro-SRは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

KLA

半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。

KLA の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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